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A U S G E w ä H L T E P R O J E K T E – S E L E C T E d P R O J E C T S
Abb. 39: Abhängigkeit der Intensität des nc-Si-Peaks in den Ramanspektren
(a) und des kristallinen Anteils (b) von
P LAS bei verschiedenen λ LAS für 6x(10 nm Si + 3 nm SiO 2 )-
MQW. Die Bedeutung der Symbole ist in der Abbildung
vermerkt. Im Einschub sind Daten über die Grösse der
Si-Nanokristalle sowie über Verspannungen in den MQW
zu finden, die aus Raman-Untersuchungen abgeleitet
wurden. Der kristalline Anteil in den Si-Schichten wurde
nach der folgenden Beziehung abgeschätzt:
F CR =I Si-nc / (I Si-nc + I a-Si ), wobei I Si-nc und I a-Si die integrierten
Raman-Peakintensitäten der betreffenden Bestandteile sind.
Fig. 39: Dependence of the intensity of the Si-nc related peak in
the Raman spectra (a) and the crystalline fraction value
(b) on the plAS for the various λ lAS for
6x(10 nm Si + 3 nm Sio 2 ) MQW. Attribution of symbols is
indicated in the figure. Inset presents values for Si-nc
size and stress in MQW estimated from the Raman
measurements. the crystalline fraction was estimated
using:
F CR =I Si-nc / (I Si-nc + I a-Si ), where I Si-nc and I a-Si are integrated
Raman peaks related to the corresponding materials.
Abb. 40: Ramanspektren verschiedener MQW, die unter nahezu
optimalen Bedingungen für die Laserbehandlung
kristallisiert wurden. Werte für den Kristallisationsgrad
sind in der Abbildung vermerkt. Im Einschub sind Daten
über die Grösse der Si-Nanokristalle sowie über Verspannungen
in den MQW zu finden, die aus den Charakteristika
des Peaks der Si-Nanokristalle abgeleitet wurden.
Fig. 40: Raman spectra detected from various MQW crystallized
in nearly optimal conditions of laser radiation. Values
for the crystalline fraction are indicated in the figure.
the inset presents sizes of Si-nc crystallites and stress
in the MQWs estimated from Si-nc peak characteristics.
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