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Deliverables and Services - IHP Microelectronics

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A U S G E w ä H L T E P R O J E K T E – S E L E C T E d P R O J E C T S<br />

Mit zunehmender Injektion wird das elektrische Feld<br />

abgeschirmt, was eine Blauverschiebung der D-Linien<br />

nach sich zieht. Die Abhängigkeit der Verschiebung von<br />

der elektrischen Feldstärke am Übergang lässt sich gut<br />

mit den Beziehungen für den Stark-Effekt beschreiben<br />

(Abb. 36).<br />

Eine Nutzung des beobachteten Effektes könnte zur<br />

Modulation der Wellenlänge der D-Linien genutzt werden,<br />

durch eine Modulation des elektrischen Feldes des<br />

pn-Überganges. Ein Beispiel für eine derartige Modulation<br />

zeigt Abb. 37, wo mit der Vorspannung an einer<br />

LED die Wellenlänge der Lumineszenz moduliert wird,<br />

die extern optisch angeregt wurde.<br />

Die prinzipielle Möglichkeit einer Modulation der Wellenlänge<br />

von 1,5-µm-Versetzungslicht durch ein elektrisches<br />

Feld konnten wir demonstrieren. Der Effekt<br />

sollte es erlauben, eine effiziente pn-LED, die im IR-Bereich<br />

emittiert, mit einem Modulator in einem Si-Bauelement<br />

zu vereinen.<br />

Abb. 35: Spektren von EL (a) und PL (b) einer LED bei verschiedenen<br />

Anregungsbedingungen. Temperatur und Injektionsparameter<br />

sind in der Darstellung angegeben. Die Kurven sind zur<br />

besseren Unterscheidbarkeit in vertikaler Richtung verschoben.<br />

Der Einschub in (a) zeigt das in die D1-, D2- und<br />

D3-Linie aufgelöste D-B<strong>and</strong>-Spektrum für die EL.<br />

Fig. 35: el (a) <strong>and</strong> pl (b) spectra from the leD detected under<br />

various excitation conditions. the measurement temperatures<br />

<strong>and</strong> carrier injection parameters are indicated<br />

in the figures. Curves are shifted in vertical direction for<br />

clarity. Inset in (a) shows decomposition of the D-b<strong>and</strong><br />

spectrum into D1, D2 <strong>and</strong> D3 peaks for the el spectra.<br />

utilizing the observed effect one could modulate the<br />

D-b<strong>and</strong> peak maximum positions by the local electric<br />

field of a pn-junction. An example of such modulation<br />

is presented in Fig. 37, where the voltage applied<br />

to the leD modulated the luminescence excited by<br />

external illumination.<br />

A principal possibility for modulation of the wavelength<br />

of D-line at 1.5 µm by electric field was demonstrated.<br />

the effect should allow integration of<br />

efficient IR pn-leD <strong>and</strong> a modulator into a single<br />

device.<br />

A n n u A l R e p o R t 2 0 0 7<br />

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