Deliverables and Services - IHP Microelectronics
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A U S G E w ä H L T E P R O J E K T E – S E L E C T E d P R O J E C T S<br />
Mit zunehmender Injektion wird das elektrische Feld<br />
abgeschirmt, was eine Blauverschiebung der D-Linien<br />
nach sich zieht. Die Abhängigkeit der Verschiebung von<br />
der elektrischen Feldstärke am Übergang lässt sich gut<br />
mit den Beziehungen für den Stark-Effekt beschreiben<br />
(Abb. 36).<br />
Eine Nutzung des beobachteten Effektes könnte zur<br />
Modulation der Wellenlänge der D-Linien genutzt werden,<br />
durch eine Modulation des elektrischen Feldes des<br />
pn-Überganges. Ein Beispiel für eine derartige Modulation<br />
zeigt Abb. 37, wo mit der Vorspannung an einer<br />
LED die Wellenlänge der Lumineszenz moduliert wird,<br />
die extern optisch angeregt wurde.<br />
Die prinzipielle Möglichkeit einer Modulation der Wellenlänge<br />
von 1,5-µm-Versetzungslicht durch ein elektrisches<br />
Feld konnten wir demonstrieren. Der Effekt<br />
sollte es erlauben, eine effiziente pn-LED, die im IR-Bereich<br />
emittiert, mit einem Modulator in einem Si-Bauelement<br />
zu vereinen.<br />
Abb. 35: Spektren von EL (a) und PL (b) einer LED bei verschiedenen<br />
Anregungsbedingungen. Temperatur und Injektionsparameter<br />
sind in der Darstellung angegeben. Die Kurven sind zur<br />
besseren Unterscheidbarkeit in vertikaler Richtung verschoben.<br />
Der Einschub in (a) zeigt das in die D1-, D2- und<br />
D3-Linie aufgelöste D-B<strong>and</strong>-Spektrum für die EL.<br />
Fig. 35: el (a) <strong>and</strong> pl (b) spectra from the leD detected under<br />
various excitation conditions. the measurement temperatures<br />
<strong>and</strong> carrier injection parameters are indicated<br />
in the figures. Curves are shifted in vertical direction for<br />
clarity. Inset in (a) shows decomposition of the D-b<strong>and</strong><br />
spectrum into D1, D2 <strong>and</strong> D3 peaks for the el spectra.<br />
utilizing the observed effect one could modulate the<br />
D-b<strong>and</strong> peak maximum positions by the local electric<br />
field of a pn-junction. An example of such modulation<br />
is presented in Fig. 37, where the voltage applied<br />
to the leD modulated the luminescence excited by<br />
external illumination.<br />
A principal possibility for modulation of the wavelength<br />
of D-line at 1.5 µm by electric field was demonstrated.<br />
the effect should allow integration of<br />
efficient IR pn-leD <strong>and</strong> a modulator into a single<br />
device.<br />
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