Deliverables and Services - IHP Microelectronics

A U S G E w ä H L T E P R O J E K T E – S E L E C T E d P R O J E C T S
Die Zuverlässigkeit wurde mittels zeitabhängiger
dielektrischer Durchbruchsmessungen (TDDB) bei
Raumtemperatur untersucht. Aus der Analyse der
Durchbruchsdaten wurde die mittlere Durchbruchszeit
berechnet. Die extrapolierten Betriebsspannungen für
eine Lebensdauer des Bauelementes von 10 Jahren betragen
für MIM-Kondensatoren mit HfO 2 (3,5 fF / µm 2 )
9 V und für solche mit Sr 4 Ta 2 O 9 (4,5 fF / µm 2 ) 3 V.
Abb. 30: Spannungsabhängigkeit der normalisierten Kapazität von
HfO 2 (rot) und Sr 4 Ta 2 O 9 (grün) MIM-Kondensatoren.
Fig. 30: Voltage dependence of the normalized capacitance of
Hfo 2 (red) and Sr 4 ta 2 o 9 (green) MIM capacitors.
the reliability was studied by applying time Dependent
Dielectric Breakdown (tDDB) tests at room temperature.
From the analysis of breakdown data, mean
time to failure is calculated. the extrapolated operating
voltages for 10 years lifetime of MIMs with Hfo 2
(3.5 fF / µm 2 ) and Sr 4 ta 2 o 9 (4.5 fF / µm 2 ) are 9 V and
3 V, respectively.
Abb. 31: Zeitabhängige Durchbruchscharakteristika für
HfO 2 (rot) und Sr 4 Ta 2 O 9 (grün) MIM-Kondensatoren.
Fig. 31: time to breakdown characteristics of Hfo 2 (red)
and Sr 4 ta 2 o 9 (green) MIM capacitors.
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