Deliverables and Services - IHP Microelectronics

Abb. 28: Ätzrate von SiGe mit 10, 20 and 30% Ge-Anteil und Si als
Funktion der reziproken Temperatur.
Fig. 28: etch rate of SiGe with 10, 20 and 30% Ge content and
Si as function of 1 / t.
A U S G E w ä H L T E P R O J E K T E – S E L E C T E d P R O J E C T S
Die Dotierung des SiGe Schichtstapels kann die Ätzrate
beeinflussen. Die Ätzrate wird durch B-Dotierung nicht
beeinflusst. Sie wird jedoch durch eine wachsende P-
Konzentration erhöht und sie sinkt mit steigender C-
Konzentration (Abb. 29).
Diese Ergebnisse ermöglichen eine verbesserte Kontrollierbarkeit
der Ätzprozesse durch die Nutzung dotierter
Schichten für verschiedene Anwendungen.
Doping of the SiGe layer stack can influence the etch
rate. the etch rate of SiGe is not changed by B doping.
It is increased with increasing p concentration
and decreased with increasing C concentration
(Fig. 29).
these results enable improved process controllability
of the etching process using doped layers for different
applications.
Abb. 29: REM-Abbildung des Querschnittes einer Probe von
C-dotiertem Si 0,7 Ge 0,3 nach HCI-Ätzen. C-Konzentrationen
in den SiGe-Schichten C0, C1 und C2 sind: undotiert,
8,0×10 19 cm -3 bzw. 1,3×10 20 cm -3 .
Fig. 29: Cross section SeM image of the sample of C-doped
Si 0.7 Ge 0.3 after HCl etching. C concentrations in the
SiGe layer of C0, C1 and C2 are: non-doped, 8.0×10 19 cm -3
and 1.3×10 20 cm -3 , respectively.
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