Deliverables and Services - IHP Microelectronics

More documents

Recommendations

Info

Abb. 23: Gemessene Transferkennlinien der präparierten HV-PLDMOS und HV-NLDMOS Transistoren. Fig. 23: Measured transfer characteristics of prepared HV-plDMoS und HV-nlDMoS transistors. A U S G E w ä H L T E P R O J E K T E – S E L E C T E d P R O J E C T S Abb. 24: Gemessene Durchbruchkennlinien der präparierten HV-PLDMOS und HV-NLDMOS Transistoren. Fig. 24: Measured break-down characteristics of prepared HV-plDMoS und HV-nlDMoS transistors. Tabelle 1: Gemessene elektrische Parameter der präparierten HV-PLDMOS und HV-NLDMOS Transistoren im Überblick. table 1: overview of measured electrical parameters of prepared HV-plDMoS und HV-nlDMoS transistors. A n n u A l R e p o R t 2 0 0 7
Entwicklung von Prozess-Modulen Fotolithografie Ziel der Teilschrittentwicklungen ist die Verbesserung der Fotolithografie für die 130-nm-SiGe-BiCMOS- Technologie. Darüber hinaus werden durch neuartige lithografische Technologien, z. B. Doppelbelichtungs- und Doppelstrukturierungs-Verfahren, kosteneffektive < 130 nm „Half-pitch“-Strukturierungen zur Verfügung gestellt. 1. Optische Proximity Korrektur für 130-nm-SiGe-BiCMOS Die 130-nm-SiGe-BiCMOS-Technologie bietet integrierte high-performance HBTs mit hervorragenden HF-Eigenschaften und Grenzfrequenzen f T = 250 GHz und f max = 300 GHz (BV CEO = 1,7 V). Für die kritischen Ebenen in der Fotolithografie wurde eine optische Proximity Korrektur (OPC) entwickelt. Wir entwickeln eine regelbasierte (RB-OPC) und modellbasierte Optische Proximity Korrektur (MB-OPC). Die Realisierung der RB-OPC und MB-OPC erfolgt mit der Software Mentor Calibre. Die Abb. 25 zeigt das Layout und die Abbildung der Strukturen auf dem Wafer für unkorrigierte, RB-OPC und MB- OPC Strukturen der Shallow Trench- und Gateebene. A n n u A l R e p o R t 2 0 0 7 A U S G E w ä H L T E P R O J E K T E – S E L E C T E d P R O J E C T S Advanced Process Module Research Photolithography the goal of the module research is the improvement of the photolithography for the 130 nm SiGe BiCMoS technology. Furthermore, new lithographic technologies, e.g. double exposure and double patterning techniques, are used to provide cost-effective < 130 nm “half-pitch” patterning. 1. Optical Proximity Correction for 130 nm SiGe BiCMOS the 130 nm SiGe BiCMoS technology provides integrated high-performance HBts with excellent RF-performance and cut-off frequencies f t = 250 GHz and f max = 300 GHz (BV Ceo = 1.7 V). An optical proximity correction (opC) was developed for the critical layers in photolithography. We are developing a rule-based (RB-opC) and model-based optical proximity correction (MB-opC). For the realization of the RB-opC and MB-opC we use Mentor Calibre software. Fig. 25 shows the layout and the final wafer printing for the uncorrected, RB-opC and MB-opC structures of the shallow trench and gate layer. Abb. 25: Layout und die Abbildung der Strukturen auf dem Wafer für unkorrigierte, RB-OPC und MB-OPC Strukturen der Shallow Trench- und Gateebene (von links nach rechts). Fig. 25: layout and final wafer printing for the uncorrected, RB-opC and MB-opC pattern of the shallow trench and gate layer (from left to right).
Page 2 and 3:
J A H R E S B E R I C H T 2 0 0 7 -
Page 4 and 5: Wissenschaftler des IHP sind aktiv
Page 6 and 7: I N H A L T S V E R Z E I C H N I S
Page 8 and 9: Wissenschaftlicher Beirat w I S S E
Page 10 and 11: Das Institut d A S I H P A U F E I
Page 12 and 13: Das IHP konzentriert sich auf die E
Page 14 and 15: Die Forschung zu Systemen mit gerin
Page 16 and 17: Materialien für die Mikro- und Nan
Page 18 and 19: Das Jahr 2007 Die mittelfristige Fo
Page 20 and 21: und erprobt. Rauscharme Verstärker
Page 22 and 23: Technologieplattform für drahtlose
Page 24 and 25: Materialien für die Mikro- und Nan
Page 26 and 27: 7. Erhöhte Leitfähigkeit in Si-Ve
Page 28 and 29: 13. IHP-Fußballturnier Vom IHP wur
Page 30 and 31: Drahtloses Internet Schnelle Ultra-
Page 32 and 33: A U S G E w ä H L T E P R O J E K
Page 34 and 35: TANDEM Abb. 4: Die Systemarchitektu
Page 36 and 37: Infrastruktur für Funktionaltest A
Page 50 and 51: Technologieplattform 130-nm-BiCMOS-
Page 52 and 53: Komplementärer LDMOS-Modul für ho
Page 56 and 57: 2. Doppelbelichtungs-Technologie f
Page 58 and 59: Abb. 28: Ätzrate von SiGe mit 10,
Page 62 and 63: In Abb. 32 sind die wesentlichen Er
Page 64 and 65: Einkristallines Ge auf Si mittels O
Page 70 and 71: Lichtinduzierte Kristallisation von
Page 74 and 75: Gemeinsames Labor IHP / BTU Cottbus
Page 76 and 77: Allein zu den Halbleitermaterialien
Page 78 and 79: Ein weiteres, zentrales Arbeitsgebi
Page 80 and 81: Industrie / Industry* Z U S A M M E
Page 82 and 83: Z U S A M M E N A R B E I T U N d P
Page 84 and 85: G A S T w I S S E N S C H A F T L E
Page 86 and 87: G A S T w I S S E N S C H A F T L E
Page 88 and 89: Erschienene Publikationen Published
Page 90 and 91: E R S C H I E N E N E P U B L I K A
Page 104 and 105:
Eingeladene Vorträge Invited Prese
Page 106 and 107:
E I N G E L A d E N E V O R T R ä
Page 108 and 109:
E I N G E L A d E N E V O R T R ä
Page 110 and 111:
(12) Layer Processing for Future Pr
Page 112 and 113:
(33) 60 GHz Channel Plan Proposal e
Page 114 and 115:
(60) A Middleware Approach to Confi
Page 116 and 117:
(83) Optimum Activation and diffusi
Page 118 and 119:
(106) Creating Strained Si Overlaye
Page 120 and 121:
(128) Selective Etching of SiGe by
Page 122 and 123:
(9) Entwicklung eines Informationsf
Page 124 and 125:
(22) Schichtstruktur mit Barium- od
Page 126 and 127:
A N G E B O T E U N d L E I S T U N
Page 128 and 129:
Page 130 and 131:
Design Kits A N G E B O T E U N d L
Page 132 and 133:
Page 134 and 135:
Herausgeber / Publisher IHp GmbH -
show all

Deliverables and Services - IHP Microelectronics

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?