Deliverables and Services - IHP Microelectronics

Abb. 21: Simulierte Dotierungsverteilung für den HV-NLDMOS
Transistor.
Fig. 21: Simulated doping distribution for the HV-nlDMoS
transistor.
2 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 7
A U S G E w ä H L T E P R O J E K T E – S E L E C T E d P R O J E C T S
Die Abbildungen 23 und 24 zeigen die gemessenen
Transfer- und Durchbruchkennlinien der präparierten
LDMOS-Transistoren. Tabelle 1 gibt eine Zusammenfassung
der extrahierten elektrischen Parameter.
Schaltfrequenzen von einigen 10 MHz erlauben den
Entwurf von Gleichspannungswandlern mit großem
Wirkungsgrad und mit kleinen Werten für die Kapazitäten
am Ein- und Ausgang sowie die Induktivität am
Ausgang. Die Integration der Spule in das IC-Gehäuse
des DC / DC-Wandlers oder noch besser ihre Integration
auf dem Chip ermöglicht einen stark reduzierten Platzbedarf
auf der Leiterkarte bei geringeren Herstellungskosten
und verbesserter Systemleistung.
Die modulare kostengünstige Integration von HF-
LDMOS-Transistoren mit hohen Sperrspannungen in die
0,25-µm-CMOS / SiGe-BiCMOS-Technologie-Plattform
des IHP ist auf Anwendungen wie HF-Leistungsverstärker,
D-Audio Verstärker, effiziente Stromversorgungssysteme,
Treiber für MEMs und Displays sowie Baugruppen
für Kraftfahrzeuge mit einem 42 V Bordnetz der
nächsten Generation gerichtet.
Abb. 22: Simulierte Dotierungsverteilung für den HV-PLDMOS
Transistor mit tiefer HV-n-Wanne.
Fig. 22: Simulated doping distribution for HV-plDMoS
transistor with deep HV-n-well.
Figs. 23 and 24 depict the measured transfer and
breakdown characteristics of the prepared lDMoS
transistors. table 1 gives a summary of the extracted
electrical parameters.
Switching frequencies up to several 10 MHz enable
DC / DC converter designs with high conversion efficiency
at significantly reduced amounts of input and
output capacitances and the output inductance. the
integration of the inductor into the package of the
DC / DC converter or even better its integration on
chip enables a dramatically reduced space on the pCboard
at lowered fabrication cost and enhanced system
performance.
the modular cost-effective integration of complementary
RF lDMoS transistors with high blocking voltages
into IHp’s industrial 0.25 µm CMoS / SiGe BiC-
MoS technology platform addresses applications such
as RF power amplifiers, class D audio amplifiers, efficient
power management, MeMs drivers, display drivers
and automotive applications for the next generation
42 V automotive power net.