Deliverables and Services - IHP Microelectronics

tungen ist es notwendig, auch alle parasitären Kapazitäten
und Widerstände der Metallverbindungen zu
minimieren. In Abb. 20 sind Gatterverzögerungszeiten
für zwei Ringoszillatorlayouts, die sich durch die parasitären
Beiträge der Metallverbindungen unterscheiden,
gezeigt. Die erreichte Rekordverzögerungszeit von 3,0 ps
basiert neben der hohen Transistorgeschwindigkeit auf
der Minimierung der parasitären Beiträge der Metallverbindungen
auf dem Chip.
Abb. 18: Transmissionselektronische Aufnahme eines HBTs mit
einer Emitterweite von 0,17 µm.
Fig. 18: transmission electron micrograph of an HBt with an
emitter width of 0.17 µm.
Abb. 19: Maximale Transitfrequenz f T und maximale Oszillationsfrequenz
f max von HBTs mit Emitterweiten von 0,17 µm
als Funktion der Emitterlänge.
Fig. 19: peak transit frequency f t and maximum oscillation
frequency f max of HBts with 0.17 µm emitter width
as a function of emitter length.
0 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 7
A U S G E w ä H L T E P R O J E K T E – S E L E C T E d P R O J E C T S
CMl ring oscillators for two circuit layouts differing
in the parasitic capacitances and resistances of the
metal interconnects. the demonstrated record gate
delay of 3.0 ps is based on the high transistor speed
as well as on the minimization of the parasitics of the
metal interconnects.
Abb. 20: Gatterverzögerungszeiten von CML-Ringoszillatoren als
Funktion des Stromes pro Gatter. Zwei Schaltungen mit
verschiedenen parasitären Beiträgen der Verdrahtungsebenen
sind verglichen.
Fig. 20: Gate delays vs. current per gate for CMl ring oscillators.
two designs with different interconnect parasitics are
compared.