Deliverables and Services - IHP Microelectronics

A U S G E w ä H L T E P R O J E K T E – S E L E C T E d P R O J E C T S
Dabei wurden die Ergebnisse mit denen einer alternativen
SiGe-Bipolartechnologie verglichen. Letztere unterscheidet
sich von der des IHP in den HBT- Spezifikationen
(z.B. andere Grenzfrequenzen), dem Backend
(Al-Metallisierung (IHP) zu Kupfer-Metallisierung)
und den passiven Bauelementen (NMOS-Akkumulationsvaraktoren
(IHP) als variable Kapazitäten zu reinen
Bipolar-Varaktoren).
Folgende Resultate konnten im Rahmen des Projektes
erreicht werden:
Es wurden spannungsgesteuerte Oszillatoren in differentieller
Colpitts-Topologie entworfen und mit der
SG25H1-Technologie des IHP hergestellt (Abb. 16).
Für Schaltungen mit einem einstufigen Leistungsverstärker
konnte durch Auswahl eines SiGe-Transistortyps
mit maximaler Oszillationsfrequenz f max = 240 GHz die
im Projekt als Ziel gesetzte Ausgangsleistung über +16
dBm bei 77 GHz erreicht werden. Das Phasenrauschen
bei 77 GHz betrug –90 dBc / Hz @ 1 MHz Offset.
Additionally, these results were compared with results
of an alternative SiGe bipolar process. this process
differs from the IHp technology by HBt specifications
(e.g. different transit frequencies), backend
(Al (IHp) compared to Cu metallization), and passive
components (nMoS accumulation (IHp) compared to
bipolar varactors).
the following results were achieved within the project:
Differential voltage-controlled oscillators in Colpitts
topology were designed for IHp’s SG25H1 technology
(Fig. 16). When choosing a transistor-type with maximum
oscillation frequency f max = 240 GHz, circuits
with single-stage output buffer yielded the targeted
output power of +16 dBm at 77 GHz. phase noise at
77 GHz was –90 dBc / Hz @ 1 MHz offset.
Abb. 16: Spannungsgesteuerter Oszillator mit einstufigem
Leistungsverstärker für 77-GHz-Radarsignalgeneratoren.
Fig. 16: Voltage controlled oscillator with single-stage output
buffer for 77 GHz radar signal generators.
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