Deliverables and Services - IHP Microelectronics

Technologieplattform für drahtlose und Breitbandkommunikation
Schwerpunkte dieses Forschungsprogramms waren im
Jahr 2007 die Weiterentwicklung der 0,13-µm-BiCMOS-
Technologie für die externe Nutzung 2008 und der Beginn
von Arbeiten zur weiteren Frequenzerhöhung von
HBTs.
1.Entwicklung einer 0,13-µm-BiCMOS-Technologie
Performance und Ausbeute der Heterobipolar-Transistoren
im SG13-Prozess wurden demonstriert. Für
die Transitfrequenz bzw. maximale Schwingfrequenz
wurden Werte von 250 GHz bzw. 300 GHz erreicht.
Eine Gatterverzögerungszeit von 3,0 ps wurde gemessen.
Diese Ergebnisse wurden im Dezember 2007 bei
der IEDM vorgestellt.
Für Arrays mit 4k HBTs konnten Ausbeuten von 90 %
erreicht werden. Erste externe Durchläufe als Early
Access für externe Nutzer sind für die Technologie
SG13B ab August 2008 vorgesehen.
2. Entwicklung von SiGe-HBTs höchster Frequenzen
(THz)
Für die IHP-Strategie spielen die Entwicklung und
Integration von Bauelementen höchster Performance
eine zentrale Rolle. Die Erforschung der Frequenzgrenzen
für SiGe-HBTs ist dabei – neben der Erarbeitung
grundsätzlich neuer Bauelementekonzepte –
eine Kernaufgabe. Innerhalb des 2008 beginnenden
EU-Projektes DOTFIVE wird das IHP an der Entwicklung
von HBTs mit einer Grenzfrequenz von 0,5 THz
arbeiten.
3. Neue komplementäre LDMOS für 0,25 µm BiCMOS
Neue komplementäre LDMOS mit guter Langzeit-
Driftstabilität und nur geringem zusätzlichem Aufwand
im Vergleich zur Standard BiCMOS wurden
entwickelt. Es wurden Werte von f max = 41/9 GHz für
Hochvolt n-/p-LDMOS und f max =50/23 GHz für HF
n-/p-LDMOS erreicht.
d A S J A H R 2 0 0 7 – U P d A T E 2 0 0 7
Technology Platform for wireless and Broadband
Communication
Focal points of this research program in 2007 were the
further development of the 0.13 µm BiCMoS technology
for an external use from 2008 and the beginning
of activities to extend the frequency limits of HBts.
1. Development of a 0.13 µm BiCMoS technology
performance and yield of the heterobipolar transistors
in the SG13-process were demonstrated. Values
of 250 GHz and 300 GHz were reached for the transit
frequency and the maximum oscillation frequency.
A gate delay of 3.0 ps was determined. these results
were presented at the IeDM in December 2007.
A yield of 90% was obtained for arrays with 4k HBts.
First runs of the technology SG13B are planned for
external users in August 2008.
2. Development of SiGe HBts with highest
frequencies (tHz)
Development and integration of devices with highest
performance play a central role in the IHp strategy.
the study of the frequency limits of SiGe HBts is –
in addition to developing fundamentally new
device concepts – a core task. Within the european
project DotFIVe, starting in 2008, the IHp will
develop HBts with a cutoff frequency of 0.5 tHz.
3. new complementary lDMoS for 0.25 µm BiCMoS
new complementary lDMoS with sufficient longterm
drift stability and low additional complexity
compared to standard BiCMoS were developed.
Values of f max =41/9 GHz and f max =50/23 GHz were
reached for high voltage and RF n-/p-lDMoS
respectively.
A n n u A l R e p o R t 2 0 0 7
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