Deliverables and Services - IHP Microelectronics

Technologieplattform für drahtlose und
Breitbandkommunikation
In diesem Programm werden Technologien (insbesondere
BiCMOS-Technologien) mit zusätzlichen Funktionen
durch die modulare Erweiterung industrieller CMOS-
Technologien entwickelt. Die Schwerpunkte in diesem
Programm sind Technologien mit hoher Performance,
kostengünstige Technologien für System-on-Chip, sowie
die Sicherung des Zugriffs interner und externer Designer
auf die Technologien des IHP.
Die Forschung in Richtung Technologien hoher Performance
zielt auf extrem schnelle SiGe HBTs, einschließlich
komplementärer Bauelemente und neuer Bauelementekonzepte
für Anwendungen bei Frequenzen bis
> 100 GHz.
Zielstellung der Forschung für kostengünstige Technologien
ist es, BiCMOS-Technologien mit ausreichender
Performance und geringen Fertigungskosten zu entwickeln
sowie darin zusätzliche Module wie HF-LDMOS,
Flash und passive Bauelemente zu integrieren.
Die 0,25-µm-BiCMOS-Technologien des IHP sind europa-
und weltweit für Designer nutzbar. Eine neue 0,13-µm-
BiCMOS-Technologie ist ab 2008 zusätzlich verfügbar.
Ein Zeitplan für die entsprechenden technologischen
Durchläufe in der Pilotlinie in Frankfurt (Oder) ist über
die Internetadresse des IHP einsehbar.
A n n u A l R e p o R t 2 0 0 7
F O R S C H U N G d E S I H P – I H P ‘ S R E S E A R C H
Technology Platform for wireless and
Broadband Communication
the goal of this program is to develop value-added
technologies, preferably BiCMoS technologies, by
the modular extension of industrial CMoS. the focal
points in this program are technologies with high performance,
low-cost technologies for system-on-chip,
and the provision of technology access for internal
and external designers.
the research towards high-performance technologies
targets ultrafast SiGe HBts, including complementary
devices and new device concepts, for applications at
frequencies of up to > 100 GHz.
the aim of the research for low-cost technologies is
to develop BiCMoS technologies with ample performance
and low manufacturing costs and to integrate
additional modules such as RF lDMoS, Flash and passive
devices.
IHp’s 0.25 µm BiCMoS technologies are available for
designers in europe and throughout the world. An additional
0.13 µm SiGe BiCMoS technology is available
from 2008.
A schedule for technological runs in the pilot line
in Frankfurt (oder) can be found via IHp`s internet
address.