Deliverables and Services - IHP Microelectronics

26 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 7
A N G E B O T E U N d L E I S T U N G E N – d E L I V E R A B L E S A N d S E R V I C E S
Es finden technologische Durchläufe nach einem festen,
unter www.ihp-microelectronics.com verfügbaren
Zeitplan statt.
Ein Cadence-basiertes Design-Kit für Mischsignale ist
verfügbar. Wiederverwendbare Schaltungsblöcke und
IPs des IHP für die drahtlose und Breitbandkommunikation
werden zur Unterstützung von Designs angeboten.
In den folgenden Tabellen sind die wesentlichen Parameter
der Technologien dargestellt:
1. High-Performance 0.25 µm SiGe BiCMOS
(SG25H1)
Parameter npn1 npn2
Bipolar Section
A e 0.21 x 0.84 µm 2 0.18 x 0.84 µm 2
peak f max 190 GHz 220 GHz
peak f t 190 GHz 180 GHz
BV Ce0 1.9 V 1.9 V
BV CBo 4.5 V 4.5 V
V A 40 V 40 V
β 200 200
the schedule for MpW & prototyping runs is located
at www.ihp-microelectronics.com.
A cadence-based mixed signal design kit is available.
For high frequency designs an analogue Design
Kit in ADS can be used. IHp’s reusable blocks and Ips
for wireless and broadband are offered to support
designs.
technical key-parameters of the technologies are:
2. Complementary High-Performance 0.25 µm
SiGe BiCMOS (SG25H2)
Parameter npn pnp
Bipolar Section
A e 0.21 x 0.84 µm 2 0.22 x 0.84 µm 2
peak f max 170 GHz 120 GHz
peak f t 170 GHz 90 GHz
BV Ce0 1.9 V - 2.8 V
BV CBo 4.5 V - 4.0 V
V A 40 V 30 V
β 200 100
3. 0.25 µm SiGe BiCMOS with a set of npn-HBTs, ranging from high RF performance to high breakdown
voltages (SG25H3)
Parameter High High Medium High
Performance1 Performance2 Voltage Voltage
Bipolar Section
A e 0.22 x 0.84 µm 2 0.42 x 0.84 µm 2 0.22 x 2.24 µm 2 0.22 x 2.24 µm 2
peak f max 180 GHz 140 GHz 140 GHz 80 GHz
peak f t 110 GHz 120 GHz 45 GHz 30 GHz
BV Ce0 2.3 V 2.3 V 5 V > 7 V
BV CBo 6.0 V 6.0 V 15.5 V 21.0 V
V A 30 V 30 V 30 V 30 V
β 150 150 150 150