Deliverables and Services - IHP Microelectronics

A N G E B O T E U N d L E I S T U N G E N – d E L I V E R A B L E S A N d S E R V I C E S
Multiprojekt Wafer (MPW) und
Prototyping Service
Das IHP bietet seinen Forschungspartnern und Kunden
Zugriff auf seine leistungsfähigen SiGe-BiCMOS-Technologien.
Die Technologien sind insbesondere für Anwendungen im
oberen GHz-Bereich geeignet, so z.B. für die drahtlose und
Breitbandkommunikation oder Radar. Sie bieten integrierte
HBTs mit Grenzfrequenzen bis zu 300 GHz und integrierte
HF-LDMOS-Bauelemente mit Durchbruchspannungen bis
zu 31 V einschließlich komplementärer Bauelemente.
Das Backend enthält 3 (SG13S: 5) dünne und 2 dicke
Metallebenen (TM1: 2 µm, TM2: 3 µm).
Verfügbar sind folgende SiGe BiCMOS Technologien:
SG25H1: Eine 0,25-µm-BiCMOS-Hochleistungs-
Technologie mit npn-HBTs bis zu
f T / f max = 180 / 220 GHz.
SG25H2: Eine komplementäre 0,25-µm-BiCMOS-
Hochleistungs-Technologie mit npn-HBTs
ähnlich SG25H1 und zusätzlichen pnp-HBTs
mit f T / f max = 90 / 120 GHz.
SG25H3: Eine 0,25-µm-BiCMOS-Technologie mit
mehreren npn-HBTs, deren Parameter von
einer hohen HF-Performance
(f T / f max = 110 / 180 GHz) zu größeren
Durchbruchspannungen bis zu 7 V reichen.
SGB25VD: Eine kostengünstige 0,25-µm-BiCMOS-
Technologie mit mehreren npn-Transistoren
mit Durchbruchspannungen bis zu 7 V.
Eine Besonderheit dieser Technologie sind
zusätzliche integrierte komplementäre
HF-LDMOS-Bauelemente mit
Durchbruchspannungen bis zu 31 V.
SG13S: Eine 0,13-µm-BiCMOS-Hochleistungs-
Technologie mit npn-HBTs bis zu
f T /f max = 250/300 GHz mit 3,3 V I/O-CMOS
und 1,2 V Logik-CMOS.
SG13B: Identisch SG13S, aber ohne die 1,2 V Logik-CMOS.
Multiproject wafer (MPw) and
Prototyping Service
IHp offers research partners and customers access to
its powerful SiGe BiCMoS technologies.
the technologies are especially suited for applications
in the higher GHz bands (e.g. for wireless,
broadband, radar). they provide integrated HBts with
cut-off frequencies of up to 300 GHz and integrated
RF lDMoS devices with breakdown voltages of up to
31 V, including complementary devices.
the backend offers 3 (SG13S: 5) thin and 2 thick metal
layers (tM1: 2 µm, tM2: 3 µm).
The following SiGe BiCMOS technologies are available:
SG25H1: A high-performance 0.25 µm BiCMoS with
npn-HBts up to f t / f max = 180 / 220 GHz.
SG25H2: A complementary high-performance
0.25 µm BiCMoS with npn-HBts similar to
SG25H1 and additional pnp-HBts with
f t / f max = 90 / 120 GHz.
SG25H3: A 0.25 µm BiCMoS with a set of npn-HBts
ranging from a high RF performance
(f t / f max = 110 GHz / 180 GHz) to higher
breakdown voltages up to 7 V.
SGB25VD: A cost-effective 0.25 µm BiCMoS with a set of
npn-HBts up to a breakdown voltage of
7 V. A distinctive feature of this technology
is additional integrated complementary
RF lDMoS devices with breakdown
voltages up to 31 V.
SG13S: A high-performance 0.13 µm BiCMoS with
npn-HBts up to f t / f max = 250 / 300 GHz, with
3.3 V I / o CMoS and 1.2 V logic CMoS.
SG13B: Identical to SG13S but without 1.2 V logic
CMoS.
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