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Deliverables and Services - IHP Microelectronics

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62 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9<br />

A u S G e w ä H L t e p r o J e K t e – S e L e C t e d p r o J e C t S<br />

Elektrolumineszenz-Messungen (EL) bei Flusspolung<br />

wurden durchgeführt, um das Injektionsverhalten der<br />

verschiedenen MIS-Stapel zu charakterisieren. Die EL-<br />

Spektren zeigen alle eine einzige Lumineszenz-Linie<br />

bei ca. 1,1 eV , die für den strahlenden B<strong>and</strong>-B<strong>and</strong>-<br />

Übergang in Si charakteristisch ist. Diese Linie verändert<br />

für sämtliche Proben weder ihre Form noch ihre<br />

spektrale Position im gesamten Bereich der angelegten<br />

Vorspannungen (Abb. 33). Dieses Verhalten weist deutlich<br />

darauf hin, dass es während des Betriebes zu keiner<br />

Erwärmung kommt.<br />

Abb. 33: Raumtemperatur-Spektren der Lumineszenzstrahlung von<br />

MIS-Strukturen, die bei 2 verschiedenenVorspannungen<br />

(0,1 und 1 V) aufgenommen wurden.<br />

Fig. 33: 300 K spectra of the radiation from biased MIS structures<br />

at two different voltages (0.1 <strong>and</strong> 1 V).<br />

electroluminescence (el) measurements under forward<br />

bias were conducted to characterize the injection<br />

properties of the various MIS structures. the el<br />

spectra from such structures show a single luminescence<br />

line at 1.1 eV, characteristic for the radiative<br />

b<strong>and</strong>-to-b<strong>and</strong> transition of silicon. this line shows<br />

neither changes in the shape nor shifts of its position,<br />

for all samples, in the whole range of the applied voltages<br />

(Fig. 33). Such a behaviour strongly indicates<br />

that there is no heating during the operation.

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