Deliverables and Services - IHP Microelectronics

More documents

Recommendations

Info

2 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A u S G e w ä H L t e p r o J e K t e – S e L e C t e d p r o J e C t S Gitter sind häufig zur Kopplung von Licht in Nanowellenleiter eingesetzte Komponenten. Eine solche Koppelgitterstruktur ist in Abb. 25 gezeigt. Es wurden einfache 1D-Gitterkoppler mit einem flachen Siliziumätz hergestellt (70 nm), wobei die nominale Dicke des SOI 220 nm beträgt. Die Nanowellenleiterverluste bewegen sich im Bereich 4 dB/cm. Einfache 1D-Koppler wiesen Verluste von -7 dB auf. Buried oxide Substrate Abb. 25(a): Prinzipbild für die Kopplung von Faser und Nanowellenleiter. Fig. 25(a): Sketch of how coupling to a nano-waveguide is achieved. Bragg-Gitter werden bevorzugt zum Erzielen von wellenlängenselektiven Filterfunktionen eingesetzt. Faserbasierte Bragg-Gitter sind in dieser Beziehung State-of-the-Art hinsichtlich Anwendungen in der Kommunikation und im Sensorbereich. Die Herstellung von wellenleiterintegrierten Bragg-Gittern ist daher sehr wünschenswert, um die Fertigung von Resonatoren und Filtern oder Anwendungen wie Dispersionskompensatoren zu ermöglichen. Wir haben uns einer neuen Technik zugewandt, der Herstellung von Bragg-Gittern auf SOI-Wellenleitern mittels 248 nm DUV-Lithographie. Diese Technik ist eine Planartechnologie aus der modernen Halbleiterherstellung. Unser Ansatz ermöglicht daher die großvolumige Herstellung von solchen Gitterelementen und damit die preiswerte Fabrikation von SOI-Wellenleiterbauelementen. Gratings are a frequent means of coupling light to nano-waveguides. A grating coupler structure is shown in Fig. 25. We realized simple 1D grating couplers deploying a shallow silicon etch of 70 nm. Silicon-on-insulator thickness was nominally 220 nm. We measured nano-waveguide losses of 4 dB/cm. Simple 1D structures exhibited coupling losses of about 7 dB. Abb. 25(b): REM-Bild eines 1D-Kopplers. Fig. 25(b): SeM image of a 1D grating coupler. Bragg gratings are an important waveguide component for achieving wavelength selective filter functions. Fiber-based Bragg grating structures are considered state-of-the-art for applications in the optical communications and for sensing. the implementation of such components on silicon waveguides is highly desirable to permit the realization of integrated resonators and optical filters for wavelength selection or for dispersion compensation. We have investigated a new approach to the fabrication of Bragg gratings, using DuV 248 nm lithography. DuV lithography is a planar technology and is of widespread use in modern microelectronics fabrication. therefore, our approach warrants the possibility for high throughput and thus low-cost fabrication of Silicon waveguide Bragg gratings.
A u S G e w ä H L t e p r o J e K t e – S e L e C t e d p r o J e C t S Wir haben Bragg-Gitter auf 1,4 µm SOI-Rippenwellenleitern hergestellt (siehe Abb. 26). Diese Wellenleiter haben sehr niedrige intrinsische Verluste, wodurch Gitterkomponenten mit mehreren Zentimetern Länge möglich werden. Die Gitter wurden mit einer Double- Patterning-Technik hergestellt. Abb. 26(a): Seitliche Ansicht des Gitters auf der Wellenleiterrippe im REM. Fig. 26(a): SeM-sideview of the grating on the waveguide rib. We realized Bragg grating structures on 1.4 µm SoI rib waveguides (Fig. 26). the dimensions were chosen to realize waveguides with low intrinsic losses that allow the implementation of waveguide Bragg gratings with a length of the order of centimeters. to realize Bragg grating structures on these waveguides, the grating spaces were fabricated using the double patterning technique. Abb. 26(b): Querschnitt des Gitters. Fig. 26(b): Cross section of the grating pattern. A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
Page 1 and 2: Annual Report 2009 A n n u A l R e
Page 3 and 4: Die Forschungsarbeiten des IHP erm
Page 5 and 6: I N H A L t S V e r Z e I C H N I S
Page 8 and 9: 8 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 F
Page 10 and 11: Die Forschungsprogramme haben die f
Page 12 and 13: Technologieplattform für drahtlose
Page 14 and 15: A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 d A
Page 16 and 17: Wissenschaftliche Ergebnisse Im Fol
Page 18 and 19: Ein erster sicherer Knoten für dra
Page 20 and 21: In Zusammenarbeit mit ESA und DLR w
Page 22 and 23: integrierten Wellenleitern konnten
Page 24 and 25: sind in der Automobilelektronik ein
Page 26 and 27: DFG Cluster - Antrag unter Beteilig
Page 28 and 29: 28 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
Page 30 and 31: Abb. 1: Die Architektur des MAC-Pro
Page 32 and 33: GALS-Interface für die Integration
Page 34 and 35: A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A u
Page 36 and 37: 6 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A
Page 38 and 39: TANDEM IR-UWB Kommunikation für dr
Page 40 and 41: 122 GHz Empfänger in SiGe 0 A n n
Page 42 and 43: Strahlungsfester Frequenzsynthesize
Page 44 and 45: 4 Bit, 16 GS /s Analog-Digital-Umse
Page 46 and 47: 0,13-µm-BiCMOS-Technologie 6 A n n
Page 48 and 49: RF-MEMS Integration 8 A n n u A l R
Page 54 and 55: A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A u
Page 56 and 57: TiN/HfO 2 /Ti/TiN MIM Strukturen f
Page 64 and 65: 6 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 G
Page 66 and 67: wurden mit dem Schlussbericht erfol
Page 68 and 69: Gemeinsames Labor IHP/TH Wildau (FH
Page 74 and 75: G A S t w I S S e N S C H A F t L e
Page 76 and 77: G A S t w I S S e N S C H A F t L e
Page 84 and 85: 8 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 e
Page 94 and 95: 9 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 e
Page 100 and 101: (107) A 0.13 µm SiGe BiCMoS techno
Page 102 and 103:
Eingeladene Vorträge Invited prese
Page 104 and 105:
0 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 e
Page 106 and 107:
Vorträge presentations (1) Formati
Page 108 and 109:
(21) on prolonging Sensornode Gataw
Page 110 and 111:
(42) Lateral Inductive Coupling for
Page 112 and 113:
(63) evaluation Criteria for effici
Page 114 and 115:
(86) Si / Sio 2 MQw Stacks for 3 rd
Page 116 and 117:
(105) Highly robust X-Band LNA with
Page 118 and 119:
(124) electronic States of oxygen-f
Page 120 and 121:
Monographien Monographs (1) Short-r
Page 122 and 123:
(15) robuste Synchronisation für e
Page 124 and 125:
2 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A
Page 126 and 127:
26 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
Page 128 and 129:
28 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
Page 130 and 131:
0 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A
Page 132 and 133:
Wegbeschreibung zum IHP 2 A n n u A
Page 134:
A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 IHP
show all

Deliverables and Services - IHP Microelectronics

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?