Deliverables and Services - IHP Microelectronics

A u S G e w ä H L t e p r o J e K t e – S e L e C t e d p r o J e C t S
Daneben werden HBTs mit erhöhten Durchbruchspannungen,
CMOS-Transistoren für Betriebsspannungen
von 1,2 V und 3,3 V und ein Satz von passiven Komponenten
für integrierte Millimeterwellenschaltungen
bereitgestellt. Das Potential dieser Technologie für
Höchstgeschwindigkeitsschaltungen wurde durch eine
Reihe von Testschaltungen demonstriert. Dazu gehören
Ringoszillatoren mit Gatterverzögerungszeiten von
2,9 ps (Abb. 19), was die bisher kürzeste in einem BiC-
MOS-Prozess realisierte Schaltzeit darstellt. Weiterhin
wurden LC-Oszillatoren mit Fundamentalschwingungen
oberhalb von 200 GHz und ein Transceiver für das
122-GHz-Frequenzband realisiert.
Abb. 20 zeigt gemessene Verstärkungsfaktoren und
Rauschzahlen am Beispiel eines rauscharmen Verstärkers
für das 122-GHz-Band.
Weitere Informationen finden Sie unter: H. Rücker
et al. „A 0.13 µm SiGe BiCMOS Technology Featuring
f T /f max of 240 /330 GHz and Gate Delays below 3 ps“,
Proc. BCTM, 166 (2009).
Abb. 19: Gemessene Gatterverzögerungszeiten von Ringoszillatoren
aller Chips eines 8-Zoll Siliziumwafers. Die mittlere
Verzögerungszeit beträgt 2,9 ps mit einer Standardabweichung
von 0,07 ps.
Fig. 19: Measured ring oscillator gate delays of all chips across
an 8 inch wafer. the average delay is 2.9 ps with
a standard deviation of 0.07 ps.
Furthermore, the technology offers HBts with higher
break-down voltages, CMoS transistors for supply
voltages of 1.2 V and 3.3 V, and a set of passive components
for integrated millimeter-wave circuits. the
potential of the technology for integrated millimeter-wave
applications was demonstrated by a series
of benchmark circuits. these include ring oscillators
with gate delays of 2.9 ps (Fig. 19) representing the
shortest switching time reported for a BiCMoS process
so far. Moreover, lC oscillator circuits with fundamental-mode
oscillation frequencies above 200 GHz and
a transceiver circuit for the 122 GHz frequency band
were demonstrated.
As an example, Fig. 20 shows measured gain and noise
figures of a low noise amplifier for the 122 GHz
band.
For more information see: H. Rücker et al. “A 0.13 µm
SiGe BiCMoS technology Featuring f t /f max of 240 /330
GHz and Gate Delays below 3ps”, proc. BCtM, 166
(2009).
Abb. 20: Gemessene Verstärkung und Rauschzahl (NF) eines
rauscharmen 122-GHz-Verstärkers.
Fig. 20: Measured gain and noise figure (nF) of a 122 GHz
low noise amplifier.
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