Deliverables and Services - IHP Microelectronics

DFG Cluster – Antrag unter Beteiligung von Gruppen
aus der Mikroelektronik und der Katalyse ein. Darüberhinaus
wurde zum Thema Graphen ein weiteres DFG –
Projekt („Insitu Raman and (SR)-XPS investigations on
catalytic graphene growth and metal gate oxidation:
From catalysis to a graphene transistor on Si without
layertransfer“) und ein BMBF-Projekt („Entwicklung
grundlegender Graphen-Technologien für zukünftige
hochsensitive Sensoranwendungen“) beantragt.
Das Joint Lab IHP / BTU arbeitet auf dem Gebiet der Si-
Photonik im Rahmen des vom BMBF geförderten Projektes
SiliconLight an einer Si-basierten MIS-LED unter
Nutzung von dünnen Hoch-k-Schichten und durch Waferbonden
erzeugten Versetzungsnetzwerken. Grundlagen
dafür wurden mit dem bereits 2008 abgeschlossenen
Projekt SiLEM (Silizium-Lichtemitter) gelegt.
In Zusammenarbeit mit dem MPI Halle und dem Forschungszentrum
Jülich konnte gezeigt werden, dass die
Integration von Versetzungs-Netzwerken in den Kanal
von MOS-FETs den Drainstrom signifikant erhöht, auch
für kleine Drain- und Gate-Spannungen.
Das Projekt SiGe-TE wurde vom BMBF bewilligt. In diesem
Projekt soll untersucht werden, ob Versetzungsnetzwerke
auch für die Herstellung Si-basierter thermoelektrischer
Generatoren mit hohem ZT-Wert (beschreibt
die Effizienz thermoelektrischer Materialien) geeignet
sind, um die Abwärme der Chips in elektrische Energie
zurückzuwandeln.
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gations on catalytic graphene growth and metal gate
oxidation: From catalysis to a graphene transistor
on Si without layer-transfer”) and a BMBF-supported
project (“Development of basic graphene technologies
for future highly-sensitive sensor applications”)
were submitted.
the Joint lab IHp / Btu is working in the field of silicon
photonics within the BMBF-supported project
Siliconlight on Si-based MIS-leD using thin High-klayers
and dislocation networks, generated with wafer
bonding. the basic ideas for this were generated in
the project SileM (Silicon light emitter), which was
finished in 2008.
together with the MpI Halle and the Research Center
Jülich, it was demonstrated that the integration of
dislocation networks in the channel of MoS-Fets will
significantly increase the drain current, even for low
drain- and gate-voltages.
the project SiGe-t was granted by the BMBF. the aim
of this project is to investigate if dislocation networks
are also usable for producing Si-based thermoelectric
generators with a high Zt-value (describes the efficiency
of thermoelectric materials) for reconverting
the power losses of chips to electricity.