Deliverables and Services - IHP Microelectronics
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Technologieplattform für drahtlose und Breitb<strong>and</strong>kommunikation<br />
Die 0,13-µm-BiCMOS-Technologie des <strong>IHP</strong> bietet hervorragende<br />
Möglichkeiten für hochintegrierte Mischsignal-Schaltungen.<br />
Insbesondere die in der Technologie<br />
enthaltenen Heterobipolartransistoren (HBTs)<br />
mit Schwingfrequenzen bis zu 300 GHz und Transitfrequenzen<br />
bis zu 250 GHz sind für höchste Geschwindigkeitsanforderungen<br />
geeignet. 2009 wurden zwei<br />
reguläre MPW-Runs mit 0,13-µm-BiCMOS gestartet.<br />
Fortschritte konnten bei der weiteren Stabilisierung der<br />
Technologie erzielt werden. So konnte erstmalig eine<br />
deutliche Verbesserung der SRAM-Ausbeuten gezeigt<br />
werden. Die Vorstellung der Technologie während der<br />
BCTM (Bipolar / BiCMOS Circuits <strong>and</strong> Technology Meeting)<br />
2009 f<strong>and</strong> großes Interesse.<br />
Ein wichtiger Schwerpunkt der technologischen Aktivitäten<br />
sind Arbeiten zur weiteren Erhöhung der Grenzfrequenzen<br />
von HBTs, die im Rahmen des EU-Projektes<br />
DOTFIVE (Towards 0.5 TeraHertz Silicon / Germanium<br />
Heterojunction bipolar technology) durchgeführt werden.<br />
Ziel des Projektes ist es, HBTs mit Grenzfrequenzen<br />
von 500 GHz zu entwickeln. An der Universität Wuppertal<br />
wurden auf Basis der HBT-Technologie des <strong>IHP</strong><br />
Schaltkreise bis zu 650 GHz entworfen und demonstriert.<br />
Die Arbeiten zu LDMOS-Transistoren, die besonders interessant<br />
für DC-DC Konverter, Powermanagement und<br />
Leistungsverstärker sind, wurden erfolgreich weitergeführt.<br />
LDMOS-Transistoren mit verbesserten Eigenschaften<br />
wurden entwickelt und einem Industriepartner<br />
zur Verfügung gestellt.<br />
Die zukünftige Entwicklung von Technologien am <strong>IHP</strong><br />
und deren Anwendung in Schaltungen und Systemen<br />
verfolgt eine „More than Moore“-Strategie. Ziel ist die<br />
Integration von Modulen mit zusätzlicher Funktionalität<br />
in die BiCMOS-Technologie. So wurden im letzten<br />
Jahr mit Arbeiten zur Verbindung von Photonik und<br />
Elektronik (Si Photonics) in den Projekten HELIOS<br />
(Photonics Electronics functional Integration on CMOS,<br />
gefördert durch die EU) und SiliconLight (Neuartige<br />
Lichtquellen und Komponenten für die Si-Photonik,<br />
gefördert vom BMBF) gestartet. Erste Ergebnisse zu<br />
d A S J A H r 2 0 0 9 – u p d A t e 2 0 0 9<br />
technology platform for wireless <strong>and</strong> Broadb<strong>and</strong><br />
Communication<br />
IHp`s 0.13 µm BiCMoS technology offers excellent<br />
opportunities for highly-integrated mixed-signal circuits.<br />
especially the heterobipolar transistors in this<br />
technology with oscillation frequencies up to 300 GHz<br />
<strong>and</strong> transit frequencies up to 250 GHz are particularly<br />
suitable for highest speeds. two regular MpW runs<br />
with 0.13 µm BiCMoS were started in 2009. progress<br />
was made in the further stabilization of the technology.<br />
A considerable improvement of the SRAM yields<br />
was demonstrated for the first time. the presentation<br />
of the technology at the BCtM (Bipolar / BiCMoS<br />
Circuits <strong>and</strong> technology Meeting) in 2009 produced<br />
much interest.<br />
An important focus of the technological activities is<br />
the further increasing of the frequencies of heterobipolar<br />
transistors, realized in the european project<br />
DotFIVe (towards 0.5 teraHertz Silicon / Germanium<br />
Heterojunction bipolar technology). the project goal<br />
is the development of HBts with frequencies up to<br />
500 GHz. using IHp`s technology, the university of<br />
Wuppertal designed <strong>and</strong> demonstrated circuits up to<br />
650 GHz.<br />
the activities on lDMoS-transistors, which are especially<br />
interesting for DC-DC converters, power management<br />
<strong>and</strong> power amplifier, were successfully<br />
continued. lDMoS transistors with improved characteristics<br />
were developed <strong>and</strong> transferred to an industrial<br />
partner.<br />
the future development of the technology at the IHp<br />
<strong>and</strong> its application in circuits <strong>and</strong> systems follows a<br />
“More than Moore” strategy, i.e. the integration of<br />
modules with additional functionality in the BiCMoS<br />
technology. In this context activities to connect<br />
photonics with electronics (Si photonics) were started<br />
in the projects HelIoS (photonics electronics<br />
functional Integration on CMoS, supported by the<br />
eu) <strong>and</strong> Siliconlight (new light sources <strong>and</strong> components<br />
for Si photonics, supported by the BMBF). First<br />
results on integrated waveguides were achieved <strong>and</strong><br />
A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9<br />
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