Deliverables and Services - IHP Microelectronics

Materialien für die Mikro- und Nanoelektronik
Die Materialforschung am IHP hat die Integration
neuer Materialien in gegenwärtige und zukünftige Si-
Technologien zum Ziel, um so verbesserte, zusätzliche
oder neuartige Funktionalitäten zu erreichen. Darüber
hinaus werden Grundlagen für neue Forschungsgebiete
am IHP geschaffen.
Aktuelle Schwerpunkte der Arbeiten zu neuen Hochk-Dielektrika
sind binäre und ternäre Legierungen für
zukünftige Anwendungen in MIM-Kondensatoren, Speichern
und Transistoren sowie als Epitaxievermittler
für globale hochwertige heteroepitaktische Halbleiterschichten(Halbleiter-Isolator-Halbleiter-Schichtstapel).
Weiterhin werden neue Materialien für akustische
Oberflächenwellenfilter (SAW-Filter) und für nichtflüchtige
Speicher (NVM-Speicher) bewertet.
Zukünftige Aktivitäten konzentrieren sich auf integrierbare
THz-Bauelemente, insbesondere den HBT,
MIIMIM-Tunneltransistoren mit heißen Elektronen sowie
Graphen-Transistoren.
Gegenstand der Arbeiten im Gemeinsamen Labor mit
der BTU Cottbus ist die Si-Materialforschung. Dabei sollen
die Eigenschaften des Si-Materials maßgeschneidert
werden, um neue Anwendungen zu ermöglichen und um
bestehende Anwendungen zu verbessern.
Schwerpunkte sind die grundlagenorientierte Vorlaufforschung
zu Si-basierten Lichtemittern für die optische
Datenübertragung, zum „Defect Engineering“
für zukünftige Si-Wafer, zum Bandstrukturdesign und
Ladungsträgertransport in Si-basierten Quantenstrukturen
und zur Beherrschung der elektrischen Eigenschaften
von Kristalldefekten in Solar-Si.
F o r S C H u N G d e S I H p – I H p ‘ S r e S e A r C H
Materials for Micro- and Nanoelectronics
Materials research at IHp targets the integration of
new materials into current and future silicon technologies
to achieve additional, better or innovative
functionalities. It also gears towards the preparation
of new research fields at the institute.
Current focal points of the activities with high-k dielectrics
are binary and ternary alloys for future applications
in MIM capacitors, memories and transistors
as well as for epitaxy mediation for global high quality
heteroepitaxial semiconductor layers (semiconductor-insulator-silicon
stacks). Additionally, new
materials for SAW filters and non-volatile memories
are evaluated.
Future activities will concentrate on tHz devices
with the capability to be integrated, preferably HBts,
MIIMIM hot electron tunnelling transistors and graphene
transistors,
Silicon materials research is the subject matter of the
Joint lab IHp/Btu. Silicon properties are tailored
to enable new applications and to improve existing
ones.
Focuses are initial basic research for Si-based light
emitters for optical data transmission, defect engineering
for future silicon wafers, band structure design
and charge carrier transport in Si-based quantum
structures, and the control of electrical properties of
crystal defects in solar silicon.
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