Deliverables and Services - IHP Microelectronics
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A N G e B o t e u N d L e I S t u N G e N – d e L I V e r A B L e S A N d S e r V I C e S<br />
Multiprojekt Wafer (MPW) und<br />
Prototyping Service<br />
Das <strong>IHP</strong> bietet seinen Forschungspartnern und Kunden<br />
Zugriff auf seine leistungsfähigen SiGe-BiCMOS-Technologien.<br />
Die Technologien sind insbesondere für Anwendungen im<br />
oberen GHz-Bereich geeignet, so z.B. für die drahtlose und<br />
Breitb<strong>and</strong>kommunikation oder Radar. Sie bieten integrierte<br />
HBTs mit Grenzfrequenzen bis zu 300 GHz und integrierte<br />
HF-LDMOS-Bauelemente mit Durchbruchspannungen bis<br />
zu 22 V einschließlich komplementärer Bauelemente.<br />
Das Backend enthält 3 (SG13S: 5) dünne und 2 dicke<br />
Metallebenen (TM1: 2 µm, TM2: 3 µm).<br />
Verfügbar sind folgende SiGe BiCMOS Technologien:<br />
SG25H1: Eine 0,25-µm-BiCMOS- Technologie<br />
mit npn-HBTs bis zu f T / f max = 180 / 220 GHz.<br />
SG25H3: Eine 0,25-µm-BiCMOS-Technologie mit<br />
mehreren npn-HBTs, deren Parameter von<br />
einer hohen HF-Performance<br />
(f T / f max = 110 / 180 GHz) zu größeren<br />
Durchbruchspannungen bis zu 7 V reichen.<br />
SG25H3P<br />
Modul: Zusätzliche pnp-HBTs mit f T / f max = 90 / 120 GHz.<br />
SGB25V: Eine kostengünstige 0,25-µm-BiCMOS-<br />
Technologie mit mehreren npn-Transistoren<br />
mit Durchbruchspannungen bis zu 7 V.<br />
GOD-<br />
Modul: Zusätzliche integrierte komplementäre HF-<br />
LDMOS-Bauelemente mit Durchbruchspannungen<br />
bis zu 22 V.<br />
SG13S: Eine 0,13-µm-BiCMOS-Hochleistungs-<br />
Technologie mit npn-HBTs bis zu<br />
f T / f max = 250 / 300 GHz mit 3,3 V I / O-CMOS<br />
und 1,2 V Logik-CMOS.<br />
SG13B: Identisch SG13S, aber ohne die 1,2 V<br />
Logik-CMOS.<br />
Multiproject wafer (Mpw) <strong>and</strong><br />
prototyping Service<br />
IHp offers research partners <strong>and</strong> customers access to<br />
its powerful SiGe BiCMoS technologies.<br />
the technologies are especially suited for applications<br />
in the higher GHz b<strong>and</strong>s (e.g. for wireless,<br />
broadb<strong>and</strong>, radar). they provide integrated HBts with<br />
cut-off frequencies of up to 300 GHz <strong>and</strong> integrated<br />
RF lDMoS devices with breakdown voltages of up to<br />
22 V, including complementary devices.<br />
the backend offers 3 (SG13S: 5) thin <strong>and</strong> 2 thick metal<br />
layers (tM1: 2 µm, tM2: 3 µm).<br />
the following SiGe BiCMoS technologies are available:<br />
SG25H1: A high-performance 0.25 µm BiCMoS with<br />
npn-HBts up to f t / f max = 180 / 220 GHz.<br />
SG25H3: A 0.25 µm BiCMoS with a set of npn-HBts<br />
ranging from a high RF performance<br />
(f t / f max = 110 GHz / 180 GHz) to higher<br />
breakdown voltages up to 7 V.<br />
SG25H3p<br />
Module: Additional pnp-HBts with ft / f = 90 / 120 GHz<br />
max<br />
SGB25V: A cost-effective 0.25 µm BiCMoS with a set of<br />
npn-HBts up to a breakdown voltage<br />
of 7 V.<br />
G3D-<br />
Module: Additional integrated complementary RF<br />
lDMoS devices with breakdown voltages<br />
up to 22 V.<br />
SG13S: A high-performance 0.13 µm BiCMoS with<br />
npn-HBts up to f t / f max = 250 / 300 GHz, with<br />
3.3 V I / o CMoS <strong>and</strong> 1.2 V logic CMoS.<br />
SG13B: Identical to SG13S but without 1.2 V logic<br />
CMoS.<br />
A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9<br />
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