Deliverables and Services - IHP Microelectronics

More documents

Recommendations

Info

2 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A N G e B o t e u N d L e I S t u N G e N – d e L I V e r A B L e S A N d S e r V I C e S Deliverables and Services Low-Volume & Multi-Project Prototyping Service
A N G e B o t e u N d L e I S t u N G e N – d e L I V e r A B L e S A N d S e r V I C e S Multiprojekt Wafer (MPW) und Prototyping Service Das IHP bietet seinen Forschungspartnern und Kunden Zugriff auf seine leistungsfähigen SiGe-BiCMOS-Technologien. Die Technologien sind insbesondere für Anwendungen im oberen GHz-Bereich geeignet, so z.B. für die drahtlose und Breitbandkommunikation oder Radar. Sie bieten integrierte HBTs mit Grenzfrequenzen bis zu 300 GHz und integrierte HF-LDMOS-Bauelemente mit Durchbruchspannungen bis zu 22 V einschließlich komplementärer Bauelemente. Das Backend enthält 3 (SG13S: 5) dünne und 2 dicke Metallebenen (TM1: 2 µm, TM2: 3 µm). Verfügbar sind folgende SiGe BiCMOS Technologien: SG25H1: Eine 0,25-µm-BiCMOS- Technologie mit npn-HBTs bis zu f T / f max = 180 / 220 GHz. SG25H3: Eine 0,25-µm-BiCMOS-Technologie mit mehreren npn-HBTs, deren Parameter von einer hohen HF-Performance (f T / f max = 110 / 180 GHz) zu größeren Durchbruchspannungen bis zu 7 V reichen. SG25H3P Modul: Zusätzliche pnp-HBTs mit f T / f max = 90 / 120 GHz. SGB25V: Eine kostengünstige 0,25-µm-BiCMOS- Technologie mit mehreren npn-Transistoren mit Durchbruchspannungen bis zu 7 V. GOD- Modul: Zusätzliche integrierte komplementäre HF- LDMOS-Bauelemente mit Durchbruchspannungen bis zu 22 V. SG13S: Eine 0,13-µm-BiCMOS-Hochleistungs- Technologie mit npn-HBTs bis zu f T / f max = 250 / 300 GHz mit 3,3 V I / O-CMOS und 1,2 V Logik-CMOS. SG13B: Identisch SG13S, aber ohne die 1,2 V Logik-CMOS. Multiproject wafer (Mpw) and prototyping Service IHp offers research partners and customers access to its powerful SiGe BiCMoS technologies. the technologies are especially suited for applications in the higher GHz bands (e.g. for wireless, broadband, radar). they provide integrated HBts with cut-off frequencies of up to 300 GHz and integrated RF lDMoS devices with breakdown voltages of up to 22 V, including complementary devices. the backend offers 3 (SG13S: 5) thin and 2 thick metal layers (tM1: 2 µm, tM2: 3 µm). the following SiGe BiCMoS technologies are available: SG25H1: A high-performance 0.25 µm BiCMoS with npn-HBts up to f t / f max = 180 / 220 GHz. SG25H3: A 0.25 µm BiCMoS with a set of npn-HBts ranging from a high RF performance (f t / f max = 110 GHz / 180 GHz) to higher breakdown voltages up to 7 V. SG25H3p Module: Additional pnp-HBts with ft / f = 90 / 120 GHz max SGB25V: A cost-effective 0.25 µm BiCMoS with a set of npn-HBts up to a breakdown voltage of 7 V. G3D- Module: Additional integrated complementary RF lDMoS devices with breakdown voltages up to 22 V. SG13S: A high-performance 0.13 µm BiCMoS with npn-HBts up to f t / f max = 250 / 300 GHz, with 3.3 V I / o CMoS and 1.2 V logic CMoS. SG13B: Identical to SG13S but without 1.2 V logic CMoS. A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 2
Page 1 and 2:
Annual Report 2009 A n n u A l R e
Page 3 and 4:
Die Forschungsarbeiten des IHP erm
Page 5 and 6:
I N H A L t S V e r Z e I C H N I S
Page 8 and 9:
8 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 F
Page 10 and 11:
Die Forschungsprogramme haben die f
Page 12 and 13:
Technologieplattform für drahtlose
Page 14 and 15:
A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 d A
Page 16 and 17:
Wissenschaftliche Ergebnisse Im Fol
Page 18 and 19:
Ein erster sicherer Knoten für dra
Page 20 and 21:
In Zusammenarbeit mit ESA und DLR w
Page 22 and 23:
integrierten Wellenleitern konnten
Page 24 and 25:
sind in der Automobilelektronik ein
Page 26 and 27:
DFG Cluster - Antrag unter Beteilig
Page 28 and 29:
28 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
Page 30 and 31:
Abb. 1: Die Architektur des MAC-Pro
Page 32 and 33:
GALS-Interface für die Integration
Page 34 and 35:
A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A u
Page 36 and 37:
6 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A
Page 38 and 39:
TANDEM IR-UWB Kommunikation für dr
Page 40 and 41:
122 GHz Empfänger in SiGe 0 A n n
Page 42 and 43:
Strahlungsfester Frequenzsynthesize
Page 44 and 45:
4 Bit, 16 GS /s Analog-Digital-Umse
Page 46 and 47:
0,13-µm-BiCMOS-Technologie 6 A n n
Page 48 and 49:
RF-MEMS Integration 8 A n n u A l R
Page 50 and 51:
0 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A
Page 52 and 53:
2 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A
Page 54 and 55:
A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A u
Page 56 and 57:
TiN/HfO 2 /Ti/TiN MIM Strukturen f
Page 58 and 59:
8 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A
Page 60 and 61:
60 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
Page 62 and 63:
62 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
Page 64 and 65:
6 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 G
Page 66 and 67:
wurden mit dem Schlussbericht erfol
Page 68 and 69:
Gemeinsames Labor IHP/TH Wildau (FH
Page 70 and 71:
70 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
Page 72 and 73:
72 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
Page 74 and 75: G A S t w I S S e N S C H A F t L e
Page 76 and 77: G A S t w I S S e N S C H A F t L e
Page 78 and 79: 78 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
Page 84 and 85: 8 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 e
Page 100 and 101: (107) A 0.13 µm SiGe BiCMoS techno
Page 102 and 103: Eingeladene Vorträge Invited prese
Page 106 and 107: Vorträge presentations (1) Formati
Page 108 and 109: (21) on prolonging Sensornode Gataw
Page 110 and 111: (42) Lateral Inductive Coupling for
Page 112 and 113: (63) evaluation Criteria for effici
Page 114 and 115: (86) Si / Sio 2 MQw Stacks for 3 rd
Page 116 and 117: (105) Highly robust X-Band LNA with
Page 118 and 119: (124) electronic States of oxygen-f
Page 120 and 121: Monographien Monographs (1) Short-r
Page 122 and 123: (15) robuste Synchronisation für e
Page 130 and 131: 0 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 A
Page 132 and 133: Wegbeschreibung zum IHP 2 A n n u A
Page 134: A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 IHP
show all

Deliverables and Services - IHP Microelectronics

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?