Deliverables and Services - IHP Microelectronics

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Technologieplattform für drahtlose und Breitbandkommunikation In diesem Programm werden Technologien (insbesondere BiCMOS-Technologien) mit zusätzlichen Funktionen durch die modulare Erweiterung industrieller CMOS- Technologien entwickelt. Die Schwerpunkte in diesem Programm sind Technologien mit hoher Performance, kostengünstige Technologien für System-on-Chip, sowie die Sicherung des Zugriffs interner und externer Designer auf die Technologien des IHP. Die Forschung in Richtung Technologien hoher Performance zielt auf extrem schnelle SiGe HBTs, einschließlich komplementärer Bauelemente und neuer Bauelementekonzepte für Anwendungen bei Frequenzen bis > 100 GHz. Zielstellung der Forschung für kostengünstige Technologien ist es, BiCMOS-Technologien mit ausreichender Performance und geringen Fertigungskosten zu entwickeln sowie darin zusätzliche Module wie HF-LDMOS, Flash und passive Bauelemente zu integrieren. Die 0,25-µm- und 0,13-µm-BiCMOS-Technologien des IHP sind europa- und weltweit für Designer nutzbar. Ein Zeitplan für die entsprechenden technologischen Durchläufe in der Pilotlinie in Frankfurt (Oder) ist über die Internetadresse des IHP einsehbar. 2 A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9 F o r S C H u N G d e S I H p – I H p ‘ S r e S e A r C H technology platform for wireless and Broadband Communication the goal of this program is to develop value-added technologies, preferably BiCMoS technologies, by the modular extension of industrial CMoS. the focal points in this program are technologies with high performance, low-cost technologies for system-on-chip, and the provision of technology access for internal and external designers. the research towards high-performance technologies targets ultrafast SiGe HBts, including complementary devices and new device concepts, for applications at frequencies of up to > 100 GHz. the aim of the research for low-cost technologies is to develop BiCMoS technologies with ample performance and low manufacturing costs and to integrate additional modules such as RF lDMoS, Flash and passive devices. IHp’s 0.25 µm and 0.13 µm BiCMoS technologies are available for designers in europe and throughout the world. A schedule for technological runs in the pilot line in Frankfurt (oder) can be found via IHp`s internet address.
Materialien für die Mikro- und Nanoelektronik Die Materialforschung am IHP hat die Integration neuer Materialien in gegenwärtige und zukünftige Si- Technologien zum Ziel, um so verbesserte, zusätzliche oder neuartige Funktionalitäten zu erreichen. Darüber hinaus werden Grundlagen für neue Forschungsgebiete am IHP geschaffen. Aktuelle Schwerpunkte der Arbeiten zu neuen Hochk-Dielektrika sind binäre und ternäre Legierungen für zukünftige Anwendungen in MIM-Kondensatoren, Speichern und Transistoren sowie als Epitaxievermittler für globale hochwertige heteroepitaktische Halbleiterschichten(Halbleiter-Isolator-Halbleiter-Schichtstapel). Weiterhin werden neue Materialien für akustische Oberflächenwellenfilter (SAW-Filter) und für nichtflüchtige Speicher (NVM-Speicher) bewertet. Zukünftige Aktivitäten konzentrieren sich auf integrierbare THz-Bauelemente, insbesondere den HBT, MIIMIM-Tunneltransistoren mit heißen Elektronen sowie Graphen-Transistoren. Gegenstand der Arbeiten im Gemeinsamen Labor mit der BTU Cottbus ist die Si-Materialforschung. Dabei sollen die Eigenschaften des Si-Materials maßgeschneidert werden, um neue Anwendungen zu ermöglichen und um bestehende Anwendungen zu verbessern. Schwerpunkte sind die grundlagenorientierte Vorlaufforschung zu Si-basierten Lichtemittern für die optische Datenübertragung, zum „Defect Engineering“ für zukünftige Si-Wafer, zum Bandstrukturdesign und Ladungsträgertransport in Si-basierten Quantenstrukturen und zur Beherrschung der elektrischen Eigenschaften von Kristalldefekten in Solar-Si. F o r S C H u N G d e S I H p – I H p ‘ S r e S e A r C H Materials for Micro- and Nanoelectronics Materials research at IHp targets the integration of new materials into current and future silicon technologies to achieve additional, better or innovative functionalities. It also gears towards the preparation of new research fields at the institute. Current focal points of the activities with high-k dielectrics are binary and ternary alloys for future applications in MIM capacitors, memories and transistors as well as for epitaxy mediation for global high quality heteroepitaxial semiconductor layers (semiconductor-insulator-silicon stacks). Additionally, new materials for SAW filters and non-volatile memories are evaluated. Future activities will concentrate on tHz devices with the capability to be integrated, preferably HBts, MIIMIM hot electron tunnelling transistors and graphene transistors, Silicon materials research is the subject matter of the Joint lab IHp/Btu. Silicon properties are tailored to enable new applications and to improve existing ones. Focuses are initial basic research for Si-based light emitters for optical data transmission, defect engineering for future silicon wafers, band structure design and charge carrier transport in Si-based quantum structures, and the control of electrical properties of crystal defects in solar silicon. A n n u A l R e p o R t 2 0 0 9
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