Termodünaamika I seadus Termodünaamika Süsteemid
Termodünaamika I seadus Termodünaamika Süsteemid Termodünaamika I seadus Termodünaamika Süsteemid
Born-Haberi tsükkel • Ioonidest koosneva kristalli kristallivõre entalpia ∆H L on kristalli entalpia võrreldes üksteisest lõpmata kaugel paiknevate ioonide molaarse entalpiaga: ∆H L = H m (ioonid, g) – H m (tahkis) • Kristallivõre entalpia võrdub soojusega, mis on vajalik tahkise aurustamiseks (konstantsel rõhul). Born-Haberi tsükkel • Kristallivõre entalpiat ei saa otseselt mõõta, küll saab teda aga arvutada Born-Haberi tsüklist, mis on Hessi seaduse üks rakendusi. • Born-Haberi tsükkel kasutab suletud reaktsioonide ringi (lähteained ja produktid on identsed). Kuna siin summaarne entalpiamuut peab olema 0, saab puuduva entalpiamuudu lihtsalt arvutada. Born-Haberi tsükkel • Alustame puhaste elementidega. • Atomiseerime nad ja viime gaasifaasi: ∆H a = ∆H a1 + ∆H a2 • Ioniseerime aatomid: ∆H i = I (1) + E a(2) • Laseme neil moodustada tahkise: -∆H L . • Muudame tahkise tagasi elementideks: -∆H f . ∆H a + ∆H i – ∆H L – ∆H f = 0 16
Sidemeentalpia • Reaktsioonientalpiat saab ka ennustada, lähtudes reaktsiooni käigus toimunud sidemete katkemise ja tekkimise entalpiatest. • Sideme tugevust näitab sidemeentalpia: ∆H B (X-Y) = [H mº (X, g) + H mº (Y, g)] – H mº (X-Y, g) • Sidemeentalpia on alati positiivne. Sidemeentalpia • Sidemeentalpia sõltub mitte ainult seotud aatomitest, vaid ka nende naabrusest. • Vastav varieeruvus on aga suhteliselt väike. • Reeglina antakse tabelites keskmised sidemeentalpiad, mida tähistatakse ka ∆H B . • Sidemeentalpiad antakse reeglina gaasifaasi kohta. Reaktsioonientalpia muutus sõltuvalt temperatuurist • Nii reagentide kui produktide entalpiad sõltuvad temperatuurist – järelikult peaksid ka reaktsioonientalpiad sõltuma temperatuurist. • Reaktsioonientalpia muutust sõltuvalt temperatuuri muutusest saab arvutada, lähtudes ainete soojusmahtuvustest C P : ∆H r,2º = ∆H r,1º + ∆C P (T 2 – T 1 ) ∆C P = ΣnC P,m (produktid) – ΣnC P,m (lähteained) • Toodud valemeid tuntakse Kirchhoffi seadusena. 17
- Page 1 and 2: Termodünaamika I seadus • Süste
- Page 3 and 4: Siseenergia molekulaarne olemus •
- Page 5 and 6: Paisumistöö • Süsteem saab oma
- Page 7 and 8: Kalorimeetria • Lihtne kalorimeet
- Page 9 and 10: Entalpia • Konstantsel rõhul on
- Page 11 and 12: Aurustumine ja kondenseerumine •
- Page 13 and 14: Seos reaktsioonientalpia ja siseene
- Page 15: Standardsed tekkeentalpiad • Stan
Born-Haberi tsükkel<br />
• Ioonidest koosneva kristalli kristallivõre<br />
entalpia ∆H L on kristalli entalpia võrreldes<br />
üksteisest lõpmata kaugel paiknevate ioonide<br />
molaarse entalpiaga:<br />
∆H L = H m (ioonid, g) – H m (tahkis)<br />
• Kristallivõre entalpia võrdub soojusega, mis<br />
on vajalik tahkise aurustamiseks (konstantsel<br />
rõhul).<br />
Born-Haberi tsükkel<br />
• Kristallivõre entalpiat ei saa otseselt mõõta,<br />
küll saab teda aga arvutada Born-Haberi<br />
tsüklist, mis on Hessi <strong>seadus</strong>e üks rakendusi.<br />
• Born-Haberi tsükkel kasutab suletud<br />
reaktsioonide ringi (lähteained ja produktid<br />
on identsed). Kuna siin summaarne entalpiamuut<br />
peab olema 0, saab puuduva entalpiamuudu<br />
lihtsalt arvutada.<br />
Born-Haberi tsükkel<br />
• Alustame puhaste elementidega.<br />
• Atomiseerime nad ja viime gaasifaasi:<br />
∆H a = ∆H a1 + ∆H a2<br />
• Ioniseerime aatomid:<br />
∆H i = I (1) + E a(2)<br />
• Laseme neil moodustada tahkise: -∆H L .<br />
• Muudame tahkise tagasi elementideks: -∆H f .<br />
∆H a + ∆H i – ∆H L – ∆H f = 0<br />
16
Change language