Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

136 9. Povzetek doktorskega delaSlika 9.14: a) Casovni razvoj N eff za diodo z (polni krogci) in brez (prazni krogci) napajalnenapetosti. Razen napajalne napetosti sta bili diodi obsevani in hranjeni pod enakimi pogoji pritemperaturi 20 C. b) Casovni razvoj razlike vN eff po izklopu napajalne napetosti. Razlika jenormalizirana na vrednost tik pred izklopom. Upadanje razlike lahko lepo popisemo z dvemaeksponentnima funkcijama (polna crta). Po ponovnem vklopu napajalne napetosti (priblizno1800 ur po izklopu) opazimo ponovno narascanje N eff .T [ C] C 1 1 [h] C 2 2 [h]-7 0.200.04 22020 0.710.05 900015005 0.220.04 605 0.650.05 210020020 0.440.04 4210 0.410.05 1050100Tabela 9.5: Rezultati prilagajanja nastavka 9.29 upadanju razlike med vzorcema z in breznapajalne napetosti.Predstavljeno odkritje ima lahko pomembne posledice za delovanje silicijevih detektorjevv bodocih eksperimentih z visoko luminoznostjo. Medtem ko morajo biti v casuzbiranja podatkov (priblizno 4 mesece letno) detektorji pod napetostjo, pa to v preostalemcasu ni potrebno. Zato je pomembo, da bo v tem casu temperatura detektorjev izbranatako, da bo dosezeno optimalno razmerje med upadanjem N eff po izklopu napetosti inobratnim okrevanjem.Primerjava zapornega toka diod pod napajalno napetostjo in brez nje ni pokazalanobenih sistematskih razlik. Tako zakljucujemo, da je vpliv napajalne napetosti omejenna poskodbe, ki vplivajo na efektivno koncentracijo primesi.