Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

9. Povzetek doktorskega dela 135Slika 9.13: Primerjava vrednosti N eff = eq za vzorce z razlicnimi pogoji napajanja. VzorecD2A je bil pod napetostjo med in po obsevanju, vzorec S3B le po obsevanju (6.5 ure), vzorecS3Alemedobsevanjem in vzorec D2B ne med ne po obsevanju.lahko sklepamo, da razlika med vzorci nastane med okrevanjem, torej, da zaporna napetostne vpliva na nastajanje ampak na okrevanje poskodb.Za vpliv odkritega pojava nadelovanje silicijevih detektorjev v bodocih eksperimentihpa je pomembno tudi obnasanje nastale razlike po izklopu napajalne napetosti. Kot jerazvidno s slike 9.14, po izklopu napajalne napetosti razlika upada. Upadanje lahko dobropopisemo s hitrim padcem ob izklopu (okoli 10% razlike) in vsoto dveh eksponentnihfunkcijN eff (t)N eff (t 0 ) = C 1e ; t;t 0 1 + C 2 e ; t;t 0 2 : (9.29)Da bi dolocili vpliv temperature, smo upadanje razlike opazovali na treh vzorcih prirazlicnih temperaturah in sicer pri -7 C, 5 C in 20 C. Casovni razvoj razlike smo prilagajaliz nastavkom 9.29, rezultati prilagajanja pa so podani v tabeli 9.5. Iz izmerjenihvrednosti smo ocenili aktivacijsko energijo obeh komponent na 0:5 0:15 eV.Meritve so pokazale, da ob ponovnem priklopu napajalne napetosti efektivna koncentracijanaboja zopet narasca (slika 9.14). Tovrstno obnasanje kaze, da je vsaj delposkodb bistabilnih, oziroma da reakcija, ki pretvarja aktivno stanje v neaktivno, potekav obe smeri.