Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

134 9. Povzetek doktorskega delaSlika 9.12: Primerjava casovnega razvoja efektivne koncentracije primesi za vzorce z (B3, D3,I3) in brez napajalne napetosti (U3A, U3B). Razen napajalne napetosti so bili vzorci hranjenipod enakimi pogoji.priblizno za faktor 2 vecjo efektivno koncentracijo primesi od tistih brez napetosti (slika9.12).Izvor razlikevN eff med vzorci z in brez zaporne napetosti je lahko vtvorbi poskodbali pa v njihovem casovnem izvoru. Da bi locili med tema dvema moznostima, smoprimerjali stiri diode, obsevane in hranjene pod razlicnimi pogoji napajanja. Prva (D2A)je bila pod napetostjo tako med kot po obsevanju, druga (S3A) je bila med obsevanjempod napetostjo, po njem pa ne, tretja (S3B) med obsevanjem ni bila pod napetostjo, ponjem pa in zadnja (D2B) ni bila pod napetostjo ne med ne po obsevanju. Primerjavaokrevanja vseh stirih vzorcev (slika 9.13) je za vzorca S3A in D2B (oba brez napetostipo obsevanju) dala enako N eff po koncanem okrevanju, medtem ko imata vzorca S3Bin D2A visjo N eff . Razliko med vzorcema S3B in D2A lahko pripisemo okrevanju medobsevanjem (6.5 ure brez zaporne napetosti za vzorec S3B). Iz predstavljenih rezultatov