Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

132 9. Povzetek doktorskega delaSlika 9.10:razlicnimi uksi nevtronov. Casovni razvoj efektivne koncentracije primesi pri 60 C za diode, obsevane zVzorec eq [n/cm 2 s] eq [n/cm 2 ]SA1 2:2 10 8 1:3 10 14SA2 2:2 10 8 1:3 10 14K3 1:9 10 9 1: 10 14K1 3:7 10 11 1: 10 14K0 1:6 10 12 1: 10 14P0A 5 10 15 1:1 10 14P0B 5 10 15 1:1 10 14Tabela 9.4: Seznam diod uporabljenih za studij vpliva nevtronskega uksa in pogoji obsevanja.znani. Rezultati [52] za obsevanje z Br, Si in C kazejo znatno upadanje hitrosti tvorbeposkodb pri ionskih uksih nad 10 7 cm ;2 s ;1 ,10 8 cm ;2 s ;1 in nekajkrat 10 8 cm ;2 s ;1 . Opaznoje upadanje mejnega uksa z narascajoco maso, tako da lahko za nevtrone pricakujemomejo nad 10 9 n/cm 2 s.