Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

More documents

Recommendations

Info

130 9. Povzetek doktorskega delaSlika 9.9: Casovni razvoj pocasnih komponent zapornega toka. V tabeli so navedeni pogojiobsevanja in rezultati prilagajanja po enacbi 9.28. Vrednosti parametra so normalizirane na20 C.tokov, visokim sevalnim ozadjem in dolgimi merilnimi kabli. Pomembna pa je ugotovitev,da je tudi pri 0 C opazno znatno okrevanje zapornega toka ze v prvem dnevu po obsevanju.Meritve v laboratoriju po ekvivalentu nekaj tednov pri 20 C (ure pri 60 C) in priugodnejsih merilnih pogojih pa kazejo, da imajo tokovi vseh diod z delujocimi zascitnimiobroci enake vrednosti (slika 9.9).Za studij razvoja pocasnih komponent zapornega toka je bil razvoj poskodb po-
9. Povzetek doktorskega dela 131Sample eq E E (60 C) L L (60 C)[n/cm 2 ] [10 ;17 A/cm] [h] [10 ;17 A/cm] [leta]K3 1:03 10 14 1.4 0.7 0.32 2.K0 1:04 10 14 1.1 1.8 0.26 6.I3 4:4 10 13 1.3 1.8 0.26 14.B3 4:4 10 13 1.4 1.3 0.29 8.G3 8:3 10 12 1.2 1.6 0.28 9.G2 8:7 10 12 1.2 1.9 0.24 12.U3A 4:1 10 13 1.2 2.1 0.31 2.U3B 4:1 10 13 1.2 2.1 0.32 3.Tabela 9.3: Casovni razvoj pocasnih komponent zapornega toka. Vtabelijenavedena uencain rezultati prilagajanja po enacbi 9.28. Vrednosti parametra so normalizirane na 20 C.Napake na L , E in E so okoli 20% in na L okoli 50%.spesen s segrevanjem vzorcev na 60 C. Medtem ko je v prvih desetih urah se opazenznaten prispevek eksponentno razpadajoce komponente (enacba 9.27), pa je pri daljsihcasih segrevanja upadanje zapornega toka linearno v semilogaritemski skali (slika 9.9). Takaze na efektivno logaritemsko casovno odvisnost, tako da smo rezultate skusali popisatiz nastavkom(t) = E e ;t= E ; L ln(t= L ) : (9.28)Primerjava rezultatov prilagajanja z merjenimi vrednostmi (slika9.9)kaze dobro ujemanjemeritev z rezultati prilagajanja nastavku 9.28. Vrednosti parametrov po prilagajanju sopodane v tabeli 9.3. O enakih meritvah pocasnih komponent poroca tudi [35], s sledecimivrednostmi parametrov: E = (1:01 0:38) 10 ;17 A/cm, E = 93 24 min, L =(5:03 0:09) 10 ;17 A/cm in L 6:6 +45;4:6let. Razen casovnih konstant logaritemskekomponente se vrednosti iz [35] dobro ujemajo z vrednostmi iz tabele 9.3. Potrebne paso nadaljne raziskave, ki bi razkrile zikalno ozadje logaritemske komponente.9.4 Vpliv uksa nevtronovMedtem ko bo obsevanje detektorjev v novih eksperimentih zelo pocasen proces 51 , jetipicen cas obsevanja vzorcev za studij sevalnih poskodb nekaj ur. Zato je bilo potrebnopreveriti, kako hitrost obsevanja z nevtroni vpliva na tvorbo poskodb. O vplivu hitrostiobsevanja pri ionski implantaciji poroca [52], medtem ko za nevtrone ti podatki niso bili51Ekvivalentna uenca 1 MeV nevtronov reda 10 14 n/cm 2 bo dosezena v desetih letih obsevanja, cemurustreza ekvivalenten uks 10 6 n/cm 2 s.
Page 1:
UNIVERSITY OF LJUBLJANAFACULTY OF M
Page 5:
Najprej gre moja zahvala delovnima
Page 8 and 9:
PovzetekSevalne poskodbe v siliciju
Page 10 and 11:
3.5 Measurement Setup, Methods and
Page 13 and 14:
1IntroductionSilicon detectors play
Page 15 and 16:
1. Introduction 7Figure 1.2: Schema
Page 17 and 18:
1. Introduction 9R(cm)Z(cm)Figure 1
Page 19 and 20:
2Operation and Radiation Damage of
Page 21 and 22:
2. Operation and Radiation Damage o
Page 23 and 24:
Page 25 and 26:
Page 27 and 28:
Page 29 and 30:
Page 31 and 32:
Page 33 and 34:
Page 35 and 36:
Page 37 and 38:
Page 39 and 40:
Page 41 and 42:
Page 43 and 44:
3Irradiation Facility3.1 The Reacto
Page 45 and 46:
3. Irradiation Facility 373.3 Irrad
Page 47 and 48:
3. Irradiation Facility 39Fission p
Page 49 and 50:
3. Irradiation Facility 413.4 Irrad
Page 51 and 52:
3. Irradiation Facility 43Figure 3.
Page 53 and 54:
3. Irradiation Facility 45Figure 3.
Page 55 and 56:
3. Irradiation Facility 47the inuen
Page 57 and 58:
3. Irradiation Facility 49width of
Page 59 and 60:
3. Irradiation Facility 51The full
Page 61 and 62:
3. Irradiation Facility 53percent.
Page 63 and 64:
4Time Development of DefectsIn this
Page 65 and 66:
4. Time Development ofDefects 57* F
Page 67 and 68:
4. Time Development ofDefects 59val
Page 69 and 70:
4. Time Development ofDefects 61for
Page 71 and 72:
4. Time Development ofDefects 63Fig
Page 73 and 74:
Page 75 and 76:
Page 77 and 78:
Page 79 and 80:
Page 81 and 82:
Page 83 and 84:
Page 85 and 86:
Page 87 and 88: 4. Time Development ofDefects 79An
Page 89 and 90: 5Dose Rate Dependence5.1 Motivation
Page 91 and 92: 5. Dose Rate Dependence 83Figure 5.
Page 93 and 94: 5. Dose Rate Dependence 85Figure 5.
Page 95 and 96: 5. Dose Rate Dependence 87could be
Page 97 and 98: 6Inuence of Bias VoltageIt was a ge
Page 99 and 100: 6. Inuence of Bias Voltage 91energy
Page 101 and 102: 6. Inuence of Bias Voltage 93Figure
Page 107 and 108: 6. Inuence of Bias Voltage 99that t
Page 109 and 110: 6. Inuence of Bias Voltage 101(abou
Page 111 and 112: 6. Inuence of Bias Voltage 103Figur
Page 113 and 114: 7Comparison with Other GroupsWhile
Page 115 and 116: 7. Comparison with Other Groups 107
Page 117 and 118: 8ConclusionsA systematic study of r
Page 119 and 120: 8. Conclusions 111Implications for
Page 121 and 122: 9Povzetek doktorskega dela9.1 UvodS
Page 123 and 124: 9. Povzetek doktorskega dela 115Ski
Page 125 and 126: 9. Povzetek doktorskega dela 117sre
Page 127 and 128: 9. Povzetek doktorskega dela 1199.2
Page 129 and 130: 9. Povzetek doktorskega dela 121Sli
Page 131 and 132: 9. Povzetek doktorskega dela 123Ce
Page 135 and 136: 9. Povzetek doktorskega dela 127Cep
Page 137: 9. Povzetek doktorskega dela 129Mer
Page 145 and 146: 9. Povzetek doktorskega dela 1379.6
Page 147 and 148: 10Appendix: List of Symbols and Abb
Page 149 and 150: 10. Appendix: List of Symbols and A
Page 151 and 152: References[1] J. Straver et al., Nu
Page 153 and 154: [27] A.M. Ougang et al.: Dierential
Page 155 and 156: [57] M. Huhtinen et al, HU-SEFT-R-1
Page 158: Izjavljam, da je disertacija rezult
show all

Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?