Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

9. Povzetek doktorskega dela 129Meritve obratnega okrevanja teh diod so prikazane na sliki 9.7, rezultati prilagajanjanastavku 9.26 pa v tabeli 9.2. Iz prikazanih rezultatov je razvidno, da hitrost narascanjaN eff = eq ni odvisna od uence. To kaze, da vsaj v zacetni fazi, ki je pomembna zadelovanje detektorjev v nacrtovanih eksperimentih, obratno okrevanje dobro popisemo zreakcijo prvega reda.9.3.4 Okrevanje zapornega tokaSlika 9.8: Hitro okrevanje zapornega toka. Vrednosti parametra so normalizirane na 20 C 2po enacbi j(T 2 )=j(T 1 )T2; E0 gT 1e2k(T ;1;T ;1) B2 1. Za Eg 0 je bila uporabljena vrednost 1.2 eV [14].Opozoriti velja, da se na sliki ordinatna os ne zacne pri nicli.Hitro okrevanje zapornega toka nekaterih diod iz tabele 9.1 je prikazano na sliki9.8. Zaradi visokega sevalnega ozadja meritve zapornega toka med obsevanjem niso uporabne.Casovni razvoj v zacetni fazi po obsevanju lahko, tako kot okrevanje efektivnekoncentracije primesi, lepo popisemo Xz nastavkom(t) =[ 0 t + i i (e t irr=i ; 1)e ;t= i ] eq t irr < t : (9.27)i=12Kot pri razvoju N eff , tudi tu rezultati prilagajanja ne kazejo sistematicnega obnasanja.Pomanjkanje sistematike in razlike med vzorci lahko razlozimo s prispevki povrsinskih