Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

More documents

Recommendations

Info

128 9. Povzetek doktorskega delaSlika 9.7: Razvoj Neff= eq v zacetni stopnji obratnega okrevanja za diode brez napajalnenapetosti pri 20 C.za proces drugega reda. Tu sta g C hitrost tvorbe stabilnih poskodb, g Y pa hitrost tvorbeposkodb, odgovornih za obratno okrevanje. Enacbi lahko posplosimo v oblikoN eff (t) eq= g C + k linY t (9.26)kjer je kYlin za reakcije prvega reda neodvisen od uence (g Y k Y 1), za reakcije drugega redapa sorazmeren s uenco (gY 2 k Y 2 eq ). Tako lahko z meritvami odvisnosti parametra kYlin oduence dolocimo tip reakcije.Tudi po tej metodi analiza vzorcev, hranjenih pod zaporno napetostjo, ni dalanedvoumnih rezultatov, kar je posledica ze omenjenega vpliva napajalne napetosti narazvoj poskodb. Zato je bila tej studiji namenjena posebna skupina diod. Ta je bilasestavljena iz stirih parov, obsevanih do stirih razlicnih uenc (tabela 4.6). Vseh 8 diodje bilo obsevanih in hranjenih brez napajalne napetosti pri 20 C. Da bi se izognili vplivuneznanih parametrov, so bile diode ves cas hranjene pod enakimi pogoji.
9. Povzetek doktorskega dela 129Meritve obratnega okrevanja teh diod so prikazane na sliki 9.7, rezultati prilagajanjanastavku 9.26 pa v tabeli 9.2. Iz prikazanih rezultatov je razvidno, da hitrost narascanjaN eff = eq ni odvisna od uence. To kaze, da vsaj v zacetni fazi, ki je pomembna zadelovanje detektorjev v nacrtovanih eksperimentih, obratno okrevanje dobro popisemo zreakcijo prvega reda.9.3.4 Okrevanje zapornega tokaSlika 9.8: Hitro okrevanje zapornega toka. Vrednosti parametra so normalizirane na 20 C 2po enacbi j(T 2 )=j(T 1 )T2; E0 gT 1e2k(T ;1;T ;1) B2 1. Za Eg 0 je bila uporabljena vrednost 1.2 eV [14].Opozoriti velja, da se na sliki ordinatna os ne zacne pri nicli.Hitro okrevanje zapornega toka nekaterih diod iz tabele 9.1 je prikazano na sliki9.8. Zaradi visokega sevalnega ozadja meritve zapornega toka med obsevanjem niso uporabne.Casovni razvoj v zacetni fazi po obsevanju lahko, tako kot okrevanje efektivnekoncentracije primesi, lepo popisemo Xz nastavkom(t) =[ 0 t + i i (e t irr=i ; 1)e ;t= i ] eq t irr < t : (9.27)i=12Kot pri razvoju N eff , tudi tu rezultati prilagajanja ne kazejo sistematicnega obnasanja.Pomanjkanje sistematike in razlike med vzorci lahko razlozimo s prispevki povrsinskih
Page 1:
UNIVERSITY OF LJUBLJANAFACULTY OF M
Page 5:
Najprej gre moja zahvala delovnima
Page 8 and 9:
PovzetekSevalne poskodbe v siliciju
Page 10 and 11:
3.5 Measurement Setup, Methods and
Page 13 and 14:
1IntroductionSilicon detectors play
Page 15 and 16:
1. Introduction 7Figure 1.2: Schema
Page 17 and 18:
1. Introduction 9R(cm)Z(cm)Figure 1
Page 19 and 20:
2Operation and Radiation Damage of
Page 21 and 22:
2. Operation and Radiation Damage o
Page 23 and 24:
Page 25 and 26:
Page 27 and 28:
Page 29 and 30:
Page 31 and 32:
Page 33 and 34:
Page 35 and 36:
Page 37 and 38:
Page 39 and 40:
Page 41 and 42:
Page 43 and 44:
3Irradiation Facility3.1 The Reacto
Page 45 and 46:
3. Irradiation Facility 373.3 Irrad
Page 47 and 48:
3. Irradiation Facility 39Fission p
Page 49 and 50:
3. Irradiation Facility 413.4 Irrad
Page 51 and 52:
3. Irradiation Facility 43Figure 3.
Page 53 and 54:
3. Irradiation Facility 45Figure 3.
Page 55 and 56:
3. Irradiation Facility 47the inuen
Page 57 and 58:
3. Irradiation Facility 49width of
Page 59 and 60:
3. Irradiation Facility 51The full
Page 61 and 62:
3. Irradiation Facility 53percent.
Page 63 and 64:
4Time Development of DefectsIn this
Page 65 and 66:
4. Time Development ofDefects 57* F
Page 67 and 68:
4. Time Development ofDefects 59val
Page 69 and 70:
4. Time Development ofDefects 61for
Page 71 and 72:
4. Time Development ofDefects 63Fig
Page 73 and 74:
Page 75 and 76:
Page 77 and 78:
Page 79 and 80:
Page 81 and 82:
Page 83 and 84:
Page 85 and 86: 4. Time Development ofDefects 77Fig
Page 87 and 88: 4. Time Development ofDefects 79An
Page 89 and 90: 5Dose Rate Dependence5.1 Motivation
Page 91 and 92: 5. Dose Rate Dependence 83Figure 5.
Page 93 and 94: 5. Dose Rate Dependence 85Figure 5.
Page 95 and 96: 5. Dose Rate Dependence 87could be
Page 97 and 98: 6Inuence of Bias VoltageIt was a ge
Page 99 and 100: 6. Inuence of Bias Voltage 91energy
Page 101 and 102: 6. Inuence of Bias Voltage 93Figure
Page 107 and 108: 6. Inuence of Bias Voltage 99that t
Page 109 and 110: 6. Inuence of Bias Voltage 101(abou
Page 111 and 112: 6. Inuence of Bias Voltage 103Figur
Page 113 and 114: 7Comparison with Other GroupsWhile
Page 115 and 116: 7. Comparison with Other Groups 107
Page 117 and 118: 8ConclusionsA systematic study of r
Page 119 and 120: 8. Conclusions 111Implications for
Page 121 and 122: 9Povzetek doktorskega dela9.1 UvodS
Page 123 and 124: 9. Povzetek doktorskega dela 115Ski
Page 125 and 126: 9. Povzetek doktorskega dela 117sre
Page 127 and 128: 9. Povzetek doktorskega dela 1199.2
Page 129 and 130: 9. Povzetek doktorskega dela 121Sli
Page 131 and 132: 9. Povzetek doktorskega dela 123Ce
Page 135: 9. Povzetek doktorskega dela 127Cep
Page 139 and 140: 9. Povzetek doktorskega dela 131Sam
Page 145 and 146: 9. Povzetek doktorskega dela 1379.6
Page 147 and 148: 10Appendix: List of Symbols and Abb
Page 149 and 150: 10. Appendix: List of Symbols and A
Page 151 and 152: References[1] J. Straver et al., Nu
Page 153 and 154: [27] A.M. Ougang et al.: Dierential
Page 155 and 156: [57] M. Huhtinen et al, HU-SEFT-R-1
Page 158: Izjavljam, da je disertacija rezult
show all

Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?