Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

9. Povzetek doktorskega dela 127Ceprav hitro okrevanje N eff za delovanje eksperimentov na trkalniku LHC ni pomembno,pa je njegov vpliv pomemben pri primerjavi rezultatov, izmerjenih kmalu po obsevanju.9.3.3 Obratno okrevanje N effVzorec eq g C kYlin[10 14 n/cm 2 ] [10 ;2 cm ;1 ] [10 ;8 cm ;1 s ;1 ]R02B 0.21 0.42 9.1R02M 0.21 0.57 11.3R05B 0.53 1.4 13.5R05M 0.53 1.2 12.0R10B 1.06 1.4 15.3R10M 1.06 1.8 14.9R20B 2.1 1.6 11.1R20M 2.1 1.6 11.8Tabela 9.2: Fluenca in rezultati prilagajanja po enacbi 9.26 za diode, namenjene studijudinamike obratnega okrevanja.Analiza obratnega okrevanja je bila usmerjena predvsem v dolocanje dinamike odgovornereakcije (prvi ali drugi red). V ta namen sta bili uporabljeni dve metodi. Priprvi sem enacbi za prvi in drugi red prilagajal casovnemu poteku obratnega okrevanjado pozne faze le-tega. Pri tem sem opazoval tako ujemanje napovedi z meritvami kottudi odvisnost od uence. V primeru procesa prvega reda je namrec hitrost spreminjanjaefektivne koncentracije primesi pri obratnem okrevanju sorazmerna s uenco, v primeruprocesa drugega reda pa z njenim kvadratom (enacbi 9.11 in 9.14). Vendar pa meritvevzorcev, hranjenih pod napajalno napetostjo, niso omogocile jasne dolocitve tipa reakcije.To je bila posledica le delnega osiromasenja vzorcev in vpliva napajalne napetostina casovni razvoj poskodb, ki bo opisan v podpoglavju 9.5.Pri drugi metodi sem opazoval le zacetni del obratnega okrevanja. Omejil semse na case, majhne v primerjavi s casovno konstanto obratnega okrevanja in casovnipotek (enacbi 9.13 in 9.17) lineariziral. Tedaj lahkocasovni razvoj efektivne koncentracijeprimesi opisemo z enacbamaza prvi red inN eff (t) eq= g C + g Y k Y 1t (9.24)N eff (t) eq= g C + g 2 Y eq k Y 2t (9.25)