Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

126 9. Povzetek doktorskega delaVzorec eq T gC 0 g 1 1 g 2 2[n/cm 2 ] [ C] [10 ;2 cm ;1 ] [10 ;2 cm ;1 ] [h] [10 ;2 cm ;1 ] [h]D3 4:2 10 13 15 C 4.3 3.6 4.0 1.7 170D1 4:5 10 13 15 C 4.5 2.5 3.9 1.3 37K3 1:03 10 14 5 C 4.3 1.7 9.3 1.1 79I3 4:4 10 13 5 C 5.1 3.9 3.7 1.3 68B3 4:4 10 13 0 C 5.5 4.1 4.4 1.1 110G3 8:3 10 12 0 C 6.4 7.3 3.5 4.3 16G2 8:7 10 12 0 C 4.3 8.0 3.8 4.9 47Tabela 9.1: Rezultati prilagajanja nastavku 9.23 meritvam hitre komponente casovnega razvojaN eff . Ob vsakem vzorcu sta podani se uenca normalizirana na 1 MeV nevtrone in temperaturaobsevanja in shranjevanja.Casovni potek razvoja efektivne koncentracije primesi za vzorce B3, I3 in D3 medin po obsevanju je prikazan na sliki 9.6. Zaradi dolgega casa obsevanja (6.5 ur) je prislodo delnega okrevanja poskodb ze med samim obsevanjem, zato odvisnost N eff od uenceoz. casa obsevanja ni linearna. Zdruzen vpliv obsevanja in okrevanja lahko opisemo zenacboN eff (t) =[g C t + X ig i i (1 ; e ;t= i)] eq t