Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

9. Povzetek doktorskega dela 123Ce pa je za spremembo odgovorna reakcija dveh poskodb, X A +X B ! Y , jo lahko opisemoz enacboV primeru N 0 X A>N 0 X B; dN Ydtje resitev= dN X Adt= dN X Bdt= ;k Y 2N XA N XB : (9.14)N Y (t) =N 0 X B1 ; e ;kY 2 t(N 0 X A;N 0 X B)1 ; (N 0 X B=N 0 X A)e ;kY 2 t(N 0 X A;N 0 X B) : (9.15)Ce imata obe poskodbi enaki zacetni koncentraciji, NX 0 Amed dvema poskodbama iste vrste, X A = X B , slediN X (t) =N 0 X1+N 0 X kY 2t= N 0 X B, ali pa gre za reakcijo(9.16)N Y (t) =N 0 X ; N X (T )=N 0 X(1 ;11+N 0 X kY 2t ) : (9.17)Enacba 9.17 opisuje proces drugega reda. V primeru, da je koncentracija ene vrsteposkodb mnogo vecja od koncentracije druge (NX 0 A NX 0 B), pa lahko casovni razvojzopet opisemo z enacbo prvega reda, kjer velja k Y 1= k Y 2NX 0 A.V gornjih enacbah je bila N 0 X zacetna koncentracija poskodb tipa X, k Y 1in k Y 2pareakcijski konstanti za reakcijo prvega oz. drugega reda. Enacbi9.11in9.14kazeta, da jepri reakcijah prvega reda hitrost reakcije sorazmerna s koncentracijo poskodb, pri procesihdrugega reda pa je odvisnost kvadraticna.Zaporni tokObicajno je casovni razvoj zapornega toka opisan z nastavkomI(t) =I(0)[A 0 + X iA i e ;t= i ] (9.18)kjer je A 0 prispevek stabilnih poskodb, A i pa popisujejo poskodbe, ki scasom razpadajo(okrevanje poskodb). Da bi izlocili vpliv velikosti vzorca in uence se namesto tokaobicajno podaja parameter = (en. 9.8). Znjimenacbo 9.18 prepisemo vIV eq(t) = 0 + X i i e ;t= i : (9.19)Gornji enacbi opisujeta okrevanje in stabilno komponento zapornega toka, saj obratnookrevanje le-tega ni bilo opazeno.