Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

More documents

Recommendations

Info

122 9. Povzetek doktorskega dela9.3 Casovni razvoj poskodb9.3.1 UvodN effΣgΦieqhitrookrevanjepocasnoobratno okrevanjegYΦ eqplatodnevi pri sobni Tg CΦ eqleta pri sobni Tcas (lin. skala)cas (log skala)Slika 9.5: Shematski prikaz casovnega razvoja efektivne koncentracije primesi.Casovni razvoj poskodb, nastalih pri obsevanju, lahko poteka po treh scenarijih: Poskodbe so lahko casovno stabilne. Elektricno aktivne poskodbe se lahko spremene v neaktivne (okrevanje). Elektricno neaktivne poskodbe se lahko spremene v elektricno aktivne (obratnookrevanje).Vzrok za spremembo poskodbe je lahko njen razpad ali pa reakcija z drugo poskodbo. Odvrste reakcije, ki je odgovorna za spremembo, je odvisen njen casovni razvoj.V primeru razpada X ! Y lahko spreminjanje koncentracije poskodbe X pokoncanem obsevanju opisemo kot proces prvega reda; dN Ydt= dN Xdt= ;k Y 1N X (9.11)z resitvijoN X (t) =N 0 Xe ;kY 1 t (9.12)N Y (t) =N 0 X(1 ; e ;kY 1 t ) : (9.13)
9. Povzetek doktorskega dela 123Ce pa je za spremembo odgovorna reakcija dveh poskodb, X A +X B ! Y , jo lahko opisemoz enacboV primeru N 0 X A>N 0 X B; dN Ydtje resitev= dN X Adt= dN X Bdt= ;k Y 2N XA N XB : (9.14)N Y (t) =N 0 X B1 ; e ;kY 2 t(N 0 X A;N 0 X B)1 ; (N 0 X B=N 0 X A)e ;kY 2 t(N 0 X A;N 0 X B) : (9.15)Ce imata obe poskodbi enaki zacetni koncentraciji, NX 0 Amed dvema poskodbama iste vrste, X A = X B , slediN X (t) =N 0 X1+N 0 X kY 2t= N 0 X B, ali pa gre za reakcijo(9.16)N Y (t) =N 0 X ; N X (T )=N 0 X(1 ;11+N 0 X kY 2t ) : (9.17)Enacba 9.17 opisuje proces drugega reda. V primeru, da je koncentracija ene vrsteposkodb mnogo vecja od koncentracije druge (NX 0 A NX 0 B), pa lahko casovni razvojzopet opisemo z enacbo prvega reda, kjer velja k Y 1= k Y 2NX 0 A.V gornjih enacbah je bila N 0 X zacetna koncentracija poskodb tipa X, k Y 1in k Y 2pareakcijski konstanti za reakcijo prvega oz. drugega reda. Enacbi9.11in9.14kazeta, da jepri reakcijah prvega reda hitrost reakcije sorazmerna s koncentracijo poskodb, pri procesihdrugega reda pa je odvisnost kvadraticna.Zaporni tokObicajno je casovni razvoj zapornega toka opisan z nastavkomI(t) =I(0)[A 0 + X iA i e ;t= i ] (9.18)kjer je A 0 prispevek stabilnih poskodb, A i pa popisujejo poskodbe, ki scasom razpadajo(okrevanje poskodb). Da bi izlocili vpliv velikosti vzorca in uence se namesto tokaobicajno podaja parameter = (en. 9.8). Znjimenacbo 9.18 prepisemo vIV eq(t) = 0 + X i i e ;t= i : (9.19)Gornji enacbi opisujeta okrevanje in stabilno komponento zapornega toka, saj obratnookrevanje le-tega ni bilo opazeno.
Page 1:
UNIVERSITY OF LJUBLJANAFACULTY OF M
Page 5:
Najprej gre moja zahvala delovnima
Page 8 and 9:
PovzetekSevalne poskodbe v siliciju
Page 10 and 11:
3.5 Measurement Setup, Methods and
Page 13 and 14:
1IntroductionSilicon detectors play
Page 15 and 16:
1. Introduction 7Figure 1.2: Schema
Page 17 and 18:
1. Introduction 9R(cm)Z(cm)Figure 1
Page 19 and 20:
2Operation and Radiation Damage of
Page 21 and 22:
2. Operation and Radiation Damage o
Page 23 and 24:
Page 25 and 26:
Page 27 and 28:
Page 29 and 30:
Page 31 and 32:
Page 33 and 34:
Page 35 and 36:
Page 37 and 38:
Page 39 and 40:
Page 41 and 42:
Page 43 and 44:
3Irradiation Facility3.1 The Reacto
Page 45 and 46:
3. Irradiation Facility 373.3 Irrad
Page 47 and 48:
3. Irradiation Facility 39Fission p
Page 49 and 50:
3. Irradiation Facility 413.4 Irrad
Page 51 and 52:
3. Irradiation Facility 43Figure 3.
Page 53 and 54:
3. Irradiation Facility 45Figure 3.
Page 55 and 56:
3. Irradiation Facility 47the inuen
Page 57 and 58:
3. Irradiation Facility 49width of
Page 59 and 60:
3. Irradiation Facility 51The full
Page 61 and 62:
3. Irradiation Facility 53percent.
Page 63 and 64:
4Time Development of DefectsIn this
Page 65 and 66:
4. Time Development ofDefects 57* F
Page 67 and 68:
4. Time Development ofDefects 59val
Page 69 and 70:
4. Time Development ofDefects 61for
Page 71 and 72:
4. Time Development ofDefects 63Fig
Page 73 and 74:
Page 75 and 76:
Page 77 and 78:
Page 79 and 80: 4. Time Development ofDefects 71Fig
Page 87 and 88: 4. Time Development ofDefects 79An
Page 89 and 90: 5Dose Rate Dependence5.1 Motivation
Page 91 and 92: 5. Dose Rate Dependence 83Figure 5.
Page 93 and 94: 5. Dose Rate Dependence 85Figure 5.
Page 95 and 96: 5. Dose Rate Dependence 87could be
Page 97 and 98: 6Inuence of Bias VoltageIt was a ge
Page 99 and 100: 6. Inuence of Bias Voltage 91energy
Page 101 and 102: 6. Inuence of Bias Voltage 93Figure
Page 107 and 108: 6. Inuence of Bias Voltage 99that t
Page 109 and 110: 6. Inuence of Bias Voltage 101(abou
Page 111 and 112: 6. Inuence of Bias Voltage 103Figur
Page 113 and 114: 7Comparison with Other GroupsWhile
Page 115 and 116: 7. Comparison with Other Groups 107
Page 117 and 118: 8ConclusionsA systematic study of r
Page 119 and 120: 8. Conclusions 111Implications for
Page 121 and 122: 9Povzetek doktorskega dela9.1 UvodS
Page 123 and 124: 9. Povzetek doktorskega dela 115Ski
Page 125 and 126: 9. Povzetek doktorskega dela 117sre
Page 127 and 128: 9. Povzetek doktorskega dela 1199.2
Page 129: 9. Povzetek doktorskega dela 121Sli
Page 133 and 134: 9. Povzetek doktorskega dela 125Sli
Page 135 and 136: 9. Povzetek doktorskega dela 127Cep
Page 137 and 138: 9. Povzetek doktorskega dela 129Mer
Page 139 and 140: 9. Povzetek doktorskega dela 131Sam
Page 145 and 146: 9. Povzetek doktorskega dela 1379.6
Page 147 and 148: 10Appendix: List of Symbols and Abb
Page 149 and 150: 10. Appendix: List of Symbols and A
Page 151 and 152: References[1] J. Straver et al., Nu
Page 153 and 154: [27] A.M. Ougang et al.: Dierential
Page 155 and 156: [57] M. Huhtinen et al, HU-SEFT-R-1
Page 158: Izjavljam, da je disertacija rezult
show all

Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?