Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

9. Povzetek doktorskega dela 121Slika 9.4: Primer I/V meritve diode a) v zacetni fazi (po 5 dneh pri 5 C) in b) v pozni fazi(po 5 dneh 60 C) okrevanja zapornega toka. Generacijski tok je dolocen kot vrednost zapornegatoka v minimumu za hrbtom.Glavni vir napake uporabljene metode je sistematska napaka zaradi izbora merilnefrekvence in temperature, ki smo jo ocenili na pod 10%. Tako k napaki na konstantahhitrosti tvorbe poskodb (g) najvec prispeva sistematska napaka dozimetrije (15%).Meritve zapornega toka Medtem ko je prispevek generacijskega toka sorazmeren skorenom zaporne napetosti (glej enacbi 9.7 in 9.1) in narasca sorazmerno s uenco, jepovrsinski tok mocno odvisen od zunanjih pogojev in izdelave 49 . Zato smo raziskaveomejili na studij generacijskega toka. Vendar pri invertiranih vzorcih locevanje obeh prispevkovni preprosto, saj so zascitni obroci polno ucinkoviti sele pri polnem osiromasenju[51]. To se v I/V krivulji izraza kot hrbet, ki se zravna pri napetosti polnega osiromasenja(slika 9.4). Tako je generacijski tok dolocen kot vrednost zapornega toka vminimumu zahrbtom. Pri diodah z dobro delujocimi zascitnimi obroci je napaka opisane metode nekajodstotkov. Napaka parametra je tako dolocena z napako dozimetrije (okoli 15%).49Vlage, nacina rezanja diode itd.