13.07.2015 Views

Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

9. Povzetek doktorskega dela 117sred<strong>in</strong>e energijske reze, ta pa s uenco, lahko povezavo med zapornim tokom <strong>in</strong> uencoopisemo z enacboj SCRw = I V = eq (9.8)kjer je koecient narascanja zapornega toka <strong>in</strong>V prostorn<strong>in</strong>a osiromasenega podrocja.Efektivna koncentracija primesi Primesi lahko leze v bliz<strong>in</strong>i (reda velikosti k B T )prevodnega oz. valencnega pasu (plitve primesi) ali pa so od njiju bolj oddaljene (globokeprimesi). Vpliv globokih primesi na efektivno koncentracijo dopantov je pomemben le vosiromasenem podrocju, kjer k prostorskemu naboju prispevajo donorji iz zgornje polovice<strong>in</strong> akceptorji iz spodnje polovice energijske reze. Ti torej povecajo efektivno gostotoprimesi N eff <strong>in</strong> s tem zvecajo napetost polnega osiromasenja.V neobsevanih polprevodnikih je koncentracija globokih primesi obicajno zanemarljiva,pomembne so le plitve primesi kot sta P <strong>in</strong> B. Pri obsevanju nastajajo tudi globokeprimesi, predvsem akceptorji, njihovakoncentracija je sorazmerna s uenco. Pri obsevanjusilicija tipa n torej efektivna koncentracija primesi zaradi nastajanja akceptorskih stanjv pricetku upada, v tocki <strong>in</strong>verzije se spremeni v tip p, nato pa N eff zopet narasca.Pri visokih uencah lahko N eff <strong>in</strong> s tem napetost polnega osiromasenja tako narasteta,da onemogocita normalno delovanje detektorja. To narascanje je ena najhujsih ovir zadelovanje silicijevih detektorjev v visoko sevalnem okolju.Medtem ko je narascanje koncentracije globokih akceptorjev s uenco eksperimentalnodobro potrjeno [14, 20,29, 30, 46], pa vpliv obsevanja na zacetne plitve donorje se nidokoncno razjasnjen. Po nekaterih modelih njihova koncentracija s uenco eksponentnoupada [29, 30], medtem ko se po drugih le kompenzirajo z nastalimi akceptorji [31].Zbiranje naboja Globoki nivoji, nastali pri obsevanju, zmanjsajo zivljenjski cas prostihnosilcev naboja <strong>in</strong> s tem izmerjen signal. Ker je zivljenjski cas obratno sorazmeren skoncentracijo globokih nivojev, le-ta pa je sorazmerna s uenco, je torej zivljenjski casobratno sorazmeren s uenco. Vendar na zbiranje naboja vplivajo le nivoji z emisijskimcasom, dolgim v primerjavi s casom zbiranja naboja.Meritve kazejo, da je padec signala zaradi slabsega zbiranja naboja pri uencahokoli 10 14 n/cm 2 priblizno 10% za zbiralne case reda 10 ns [13, 34].

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!