Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

114 9. Povzetek doktorskega delavrsta poskodb so globinske poskodbe 43 , to so poskodbe po celotni prostornini polprevodnika.Posledica le-teh je povecanje zapornega toka, visja napetost polnega osiromasenja 44in slabse zbiranje naboja.Predstavljeno delo je posveceno studiju globinskih poskodb v siliciju, nastalih priobsevanju z nevtroni. Novi rezultati so posledica natancnega nadzora pogojev tako medkot po obsevanju. Se posebej je treba omeniti natancen nadzor napajalne napetosti, kije vodil do odkritja vpliva napetosti na razvoj poskodb. Moznost spreminjanja mociuporabljenega reaktorja 45 je omogocila tudi studij vpliva hitrosti obsevanja na nastaneksevalnih poskodb.9.1.1 Osnove delovanjaSilicijevi pozicijsko obcutljivi detektorji so v osnovi polje diod z izbrano geometrijo nasilicijevi rezini. Kadar je na njih napetost v zaporni smeri delujejo podobno ionizacijskicelici. Pare elektron-vrzel, ki nastanejo ob prehodu ionizirajocega delca, zaznamokot tokovni sunek, segmentacija diod pa omogoci dolocitev mesta prehoda ionizirajocegadelca.p stran (p + )v vvzascitni obroc (p + )vkristalna mreza (n)zadnja stran (n + )Slika 9.1: Shematicni prikaz diod, uporabljanih v tem delu. Prikazana je tudi struktura pstrani z zascitnim obrocem. Zaradi visoke koncentracije primesi je p stran oznacena kot p + .Predstavljeno delo je bilo namenjeno studiju globinskih poskodb silicijeve mreze,zato smo zeleli vpliv poskodb povrsine cim bolj omejiti. V ta namen so preproste diodes povrsino reda 1 cm 2 mnogo primernejse kot detektorji z integriranimi povrsinskimielementi, kot so uporniki in kondenzatorji. Poleg manjsega vpliva povrsinskih poskodbpa je prednost tudi preprostejsa izdelava, saj ta omogoca vecjo ponovljivost in nizjo ceno.43ang. bulk damage44Napetost polnega osiromasenja (V FD ) je napetost, potrebna za osiromasenje celotne prostorninevzorca.45Vzorci so bili obsevani v reaktorju TRIGA v Podgorici, ki je del reaktorskega centra Instituta JozefStefan.