13.07.2015 Views

Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

Study of radiation damage in silicon detectors for high ... - F9

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

9Povzetek doktorskega dela9.1 UvodSilicijevi pozicijsko obcutljivi detektorji igrajo pomembno vlogo pri sodobnih eksperimentihs podrocja zike osnovnih delcev. Zaradi izjemno dobre krajevne locljivosti 41 , hitregaodziva <strong>in</strong> majhne kolic<strong>in</strong>e materiala se uporabljajo predvsem kot detektorji vozlisc. Ti senahajajo najblize tocki <strong>in</strong>terakcije <strong>in</strong> so namenjeni cim natancnejsi rekonstrukciji tockerazpada primarnih <strong>in</strong> sekundarnih delcev.V vlogi detektorjev sledi bodo silicijevi detektorji igrali pomembno vlogo v nacrtovaniheksperimentih na trkalniku LHC. Ta bo pricel delovati v pricetku naslednjega tisocletjav Evropskem centru za ziko delcev CERN pri Zenevi. Trkalnik bo omogocal trke medprotoni s teziscno energijo 14 TeV <strong>in</strong> lum<strong>in</strong>oznostjo od 10 33 do 10 34 /cm 2 s. Razpolozljiveenergije bodo omogocale studij vrste novih procesov, med katerimi je najpomembnejseiskanje Higgsovega bozona, s katerim bi lahko razlozili izvor mase.Posledica izjemno visoke lum<strong>in</strong>oznosti <strong>in</strong> razpolozljive energije bo visoko sevalnoozadje, se posebej v bliz<strong>in</strong>i <strong>in</strong>terakcijske tocke, kjer se bodo nahajali detektorji sledi 42 . Tobo povzrocilo znatne sevalne poskodbe. Da bi omogocili njihovo delovanje tekom desetihlet, kolikor bo trajal eksperiment, je potrebno dobro razumevanje nastanka <strong>in</strong> razvojasevalnih poskodb. Le dobro nacrtovani detektorji <strong>in</strong> pretehtan scenarij delovanja lahkoobdrze posledice sevalnih poskodb na sprejemljivi ravni.Sevalne poskodbe silicijevih detektorjev se izrazajo na dvanac<strong>in</strong>a. Poskodbe povrs<strong>in</strong>eso posledica naboja, zbranega na meji med polprevodnikom <strong>in</strong> oksidom. Te povecajopovrs<strong>in</strong>ske tokove<strong>in</strong>zmanjsajo upornost med pasovi, kar vpliva na zbiranje naboja. Druga41S silicijevimi pasovnimi detektorji so dosegli locljivosti do 1 m [1].42Pri eksperimentu ATLAS, v okviru katerega je bilo opravljeno pricujoce delo, se bo silicijev pasovnidel detektorja sledi (SCT - Semi-Conductor Tracker) nahajal na radijih od 30 do 52 cm. Pricakovanesevalne poskodbe, nastale v 10 letih delovanja, bodo ekvivalentne poskodbam priblizno 10 14 n/cm 2 .113

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!