101學年度 - 明新科技大學[ 電子計算機中心]
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編 號院所系 所 姓 名 著 作 名 稱系 教 評 審點 數院 教 評 審點 數校 級 委 員 會 核 定 適 用 獎 勵 事 項校 級 委 員 會 核 定 適 用 辦 法 條 文 依 據校 級 委 員 會核 定 點 數點 數 換 算 金額核 定 金 額備 註75 工 電 子 系 陳 肇 業CESL 壓 / 拉 應 變 對 奈 米 等 級 不 同 通 道長 度 nMOSFETs 之 汲 極 接 面 電 位 研 究0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195176 工 電 子 系 陳 肇 業重 填 矽 源 / 汲 極 應 變 和 CESL 壓 縮 應 變 對 奈米 等 級 nMOSFET 之 汲 極 接 面 電 位 研究0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195177 工 電 子 系 陳 肇 業奈 米 製 程 在 單 軸 CESL 拉 伸 應 變 於 晶圓 表 面 上 nMOSFET 之 汲 極 接 面 電 位 研 究0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195178 工 電 子 系 陳 肇 業 矽 基 片 45 奈 米 電 晶 體 在 CESL 應 變 與矽 鍺 回 填 源 / 汲 極 製 程 下 之 接 面 效 能 研 究0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195179 工 電 子 系 陳 肇 業射 頻 鑑 別 系 統 中 2.4GHz 高 增 益 / 高 隔 離 度 串接 式 低 雜 訊 放 大 器0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195180 工 電 子 系 陳 肇 業0.18 微 米 製 程 5.2/5.8GHz 高 增 益 與 絕 佳 隔離 之 疊 接 式 低 雜 訊 放 大 器 應 用 於 射 頻 鑑 別系 統0.3 0.3發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/2 且 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 七 目 最 佳論 文 或 優 等 論 文 可 獲 原 配 點 數 200% 之 權 重0.32,85381 工 電 子 系 陳 肇 業0.18 微 米 製 程 2.4GHz 高 輸 出 增 益 與 低 雜 訊指 數 疊 接 式 低 雜 訊 放 大 器 整 合 於 RFID 晶片0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195120,92382 工 電 子 系 呂 明 峰Wavelength Splitter Based on PeriodicDielectric Waveguides with Square Poles0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195183 工 電 子 系 呂 明 峰 以 紅 外 線 定 位 校 正 之 室 內 慣 性 導 航 自 走 車 0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195184 工 電 子 系 呂 明 峰Design, Fabrication, and Characterization ofSi-Based ARROW-B Photonic Crystal Sharp-Bend Waveguides and Power Splitters2 2 SCI符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 一 目 但 依第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作 非 第一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項 之 1/2219,02620,928第 6 頁
編 號院所系 所 姓 名 著 作 名 稱系 教 評 審點 數院 教 評 審點 數校 級 委 員 會 核 定 適 用 獎 勵 事 項校 級 委 員 會 核 定 適 用 辦 法 條 文 依 據校 級 委 員 會核 定 點 數點 數 換 算 金額核 定 金 額備 註85 工 電 子 系 楊 鎮 澤86 工 電 子 系 楊 鎮 澤87 工 電 子 系 王 木 俊88 工 電 子 系 王 木 俊89 工 電 子 系 王 木 俊90 工 電 子 系 王 木 俊91 工 電 子 系 王 木 俊92 工 電 子 系 王 木 俊93 工 電 子 系 王 木 俊94 工 電 子 系 王 木 俊95 工 電 子 系 王 木 俊96 工 電 子 系 王 木 俊97 工 電 子 系 王 木 俊98 工 電 子 系 王 木 俊99 工 光 電 系 鄧 俊 修A Fabricated High Linearity Low PowerMixer for Bluetooth Applications應 用 電 壓 - 時 間 轉 換 技 術 完 成 類 比 - 數 位 轉換 器 的 設 計IMC Integrity for Sn96.7?Ag3.7 PolymerCore Solder Ball in BGA PackageDrop Test for Sn96.7?Ag3.7 Polymer CoreSolder Ball in BGA PackageReflow Influence for Sn96.7?Ag3.7 PolymerCore Solder Ball in BGA PackageSolder Stability for Pb?free HBGA Assemblywith Oxygenous ReflowNickel Solder Ball Performance for Pb?freeLFBGA Assembly under Oxygenous ReflowOxygenous Reflow Affecting Performance ofPb?free TFBGA AssemblyInterface trap generation and recoverymechanisms during and after positive biasstress in metal-oxide-semiconductorstructuresReliability Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with 0.72 nmEquivalent-Oxide-Thickness LaO/HfO2Stacked Gate DielectricsDrive Current and Hot Carrier ReliabilityImprovements of High-aspect-ratio N-channelFin-shaped Field Effect Transistor with HightensileContact Etching Stop LayerCESL Deposition Enhancing Performance ofn/pMOSFETs under 45-nm ProcessManufactureProbing Drain Current with Vertical andHorizontal Electrical Fields underTemperature Stress on CLC TFTsProbing Active-Area Shift with ImprovedKelvin Measurement for Trench DRAM以 FPGA 製 作 之 ADC 設 計 可 調 式 光 衰 減 器控 制 電 路0.5 0.50.2 0.20.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.52 2 SCI2 2 SCI2 2 SCI發 表 於 國 際 學 術 研 討 會 之 學 術 論著發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會發 表 於 國 際 學 術 研 討 會 之 學 術 論著發 表 於 國 際 學 術 研 討 會 之 學 術 論著發 表 於 國 際 學 術 研 討 會 之 學 術 論著發 表 於 國 際 學 術 研 討 會 之 學 術 論著發 表 於 國 際 學 術 研 討 會 之 學 術 論著發 表 於 國 際 學 術 研 討 會 之 學 術 論著符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 四 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 四 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 四 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 四 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 四 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 四 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 四 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 一 目 但 依第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作 非 第一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項 之 1/2符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 一 目 但 依第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作 非 第一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項 之 1/2符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 一 目 但 依第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作 非 第一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項 之 1/22 2 EI 期 刊 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 二 目 22 2 EI 期 刊 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 二 目 20.50.20.50.50.50.50.50.52224,7561,9024,7564,7564,7564,7564,7564,75619,02619,02619,02619,02619,0262 2 EI 期 刊 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 二 目 219,026依 本 要 點 第 四 點 之 規 定 每 位 教 師每 學 年 度 所 獲 得 之 獎 勵 金 以 新 台幣 80,000 元 為 上 限 -62,6920.6 0.6發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 且 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 七 目 最 佳 論 文或 優 等 論 文 可 獲 原 配 點 數 200% 之 權 重0.65,7076,65880,0005,707第 7 頁
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編 號院所系 所 姓 名 著 作 名 稱系 教 評 審點 數院 教 評 審點 數校 級 委 員 會 核 定 適 用 獎 勵 事 項校 級 委 員 會 核 定 適 用 辦 法 條 文 依 據校 級 委 員 會核 定 點 數點 數 換 算 金額核 定 金 額備 註75 工 電 子 系 陳 肇 業CESL 壓 / 拉 應 變 對 奈 米 等 級 不 同 通 道長 度 nMOSFETs 之 汲 極 接 面 電 位 研 究0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195176 工 電 子 系 陳 肇 業重 填 矽 源 / 汲 極 應 變 和 CESL 壓 縮 應 變 對 奈米 等 級 nMOSFET 之 汲 極 接 面 電 位 研究0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195177 工 電 子 系 陳 肇 業奈 米 製 程 在 單 軸 CESL 拉 伸 應 變 於 晶圓 表 面 上 nMOSFET 之 汲 極 接 面 電 位 研 究0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195178 工 電 子 系 陳 肇 業 矽 基 片 45 奈 米 電 晶 體 在 CESL 應 變 與矽 鍺 回 填 源 / 汲 極 製 程 下 之 接 面 效 能 研 究0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195179 工 電 子 系 陳 肇 業射 頻 鑑 別 系 統 中 2.4GHz 高 增 益 / 高 隔 離 度 串接 式 低 雜 訊 放 大 器0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195180 工 電 子 系 陳 肇 業0.18 微 米 製 程 5.2/5.8GHz 高 增 益 與 絕 佳 隔離 之 疊 接 式 低 雜 訊 放 大 器 應 用 於 射 頻 鑑 別系 統0.3 0.3發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/2 且 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 七 目 最 佳論 文 或 優 等 論 文 可 獲 原 配 點 數 200% 之 權 重0.32,85381 工 電 子 系 陳 肇 業0.18 微 米 製 程 2.4GHz 高 輸 出 增 益 與 低 雜 訊指 數 疊 接 式 低 雜 訊 放 大 器 整 合 於 RFID 晶片0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195120,92382 工 電 子 系 呂 明 峰Wavelength Splitter Based on PeriodicDielectric Waveguides with Square Poles0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195183 工 電 子 系 呂 明 峰 以 紅 外 線 定 位 校 正 之 室 內 慣 性 導 航 自 走 車 0.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.195184 工 電 子 系 呂 明 峰Design, Fabrication, and Characterization ofSi-Based ARROW-B Photonic Crystal Sharp-Bend Waveguides and Power Splitters2 2 SCI符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 一 目 但 依第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作 非 第一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項 之 1/2219,02620,928第 6 頁