101學年度 - 明新科技大學[ 電子計算機中心]

編 號院所系 所 姓 名 著 作 名 稱系 教 評 審點 數院 教 評 審點 數校 級 委 員 會 核 定 適 用 獎 勵 事 項校 級 委 員 會 核 定 適 用 辦 法 條 文 依 據校 級 委 員 會核 定 點 數點 數 換 算 金額核 定 金 額備 註61 工 電 機 系 蔡 明 發 太 陽 光 發 電 系 統 之 資 料 擷 取 與 性 能 驗 證 0.2 0.262 工 電 機 系 蔡 明 發63 工 電 機 系 李 聰 穎小 型 風 機 之 模 型 建 構 與 其 最 大 功 率 追 蹤 電壓 迴 路 控 制 器 之 設 計以 再 生 能 源 為 基 礎 之 時 間 電 價 工 業 用 戶 儲能 系 統 電 能 調 度 優 化 之 研 究0.2 0.20.1 0.164 工 電 機 系 李 聰 穎 可 攜 式 綠 色 電 源 系 統 開 發 0.2 0.265 工 電 子 系 秦 弘 毅 基 於 人 臉 特 徵 之 年 齡 辨 識 法 0.2 0.266 工 電 子 系 秦 弘 毅 複 雜 背 景 下 之 人 臉 偵 測 系 統 之 設 計 0.2 0.2發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/2符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 0.20.20.10.20.20.21,9021,9029511,9021,9021,90246,6122,8533,80467 工 電 子 系 陳 啟 文68 工 電 子 系 陳 肇 業69 工 電 子 系 陳 肇 業70 工 電 子 系 陳 肇 業71 工 電 子 系 陳 肇 業72 工 電 子 系 陳 肇 業A Novel Self-Aligned Raised Source/DrainPolysilicon Thin-Film Transistor With a High-Current StructureDistinguishing Repeatability of CESLStrained NMOSFET Devices Fabricated on Substrate Associated with JunctionBreakdown, and Punch-ThroughPromising Reliability of Refilled S/D StrainedN/PMOSFET Devices Fabricated on Substrate Linked to Junction Breakdown, andPunch-Through從 「 流 於 野 」 到 「 求 諸 野 」— 談 客 家 飲 食的 野 地 翻 身Enhancement on the Efficiency of Non-Contact Charging 矽 基 片 奈 米 p 型 電 晶 體 在 單 軸 CESL應 變 下 之 汲 極 接 面 電 位 研 究2 2 SCI0.25 0.250.25 0.250.2 0.20.2 0.20.1 0.1發 表 於 國 際 學 術 研 討 會 之 學 術 論著發 表 於 國 際 學 術 研 討 會 之 學 術 論著發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 一 目 但 依第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作 非 第一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項 之 1/2符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 四 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/2符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 四 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/2符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/220.250.250.20.20.119,0262,3782,3781,9021,90295119,02673 工 電 子 系 陳 肇 業74 工 電 子 系 陳 肇 業 矽 基 片 奈 米 製 程 MOS 電 晶 體 在 源 / 汲極 回 填 矽 壓 縮 應 變 下 之 汲 極 接 面 電 位 研 究探 討 奈 米 製 程 CESL 壓 縮 應 變 於 矽 基片 上 p 型 電 晶 體 之 汲 極 接 面 電 位0.2 0.20.1 0.1發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會發 表 於 全 國 性 學 術 研 討 會 、 兩 岸三 地 ( 華 人 ) 學 術 研 討 會符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 符 合 要 點 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 五 目 但 依 第 六 點 第 一 項 第 一 款 第 六 目 共 同 著 作非 第 一 作 者 且 非 通 訊 作 者 僅 可 獲 核 定 獎 項之 1/20.20.11,902951第 5 頁