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SVF4N60D/F/T/M 说明书 - 电子元器件代理商

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<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M 说 明 书<br />

4A、600V N 沟 道 增 强 型 场 效 应 管<br />

描 述<br />

<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率 MOS 场 效 应 晶 体<br />

管 采 用 SL 微 电 子 的 F-CellTM 平 面 高 压 VDMOS 工 艺 技 术 制 造 。<br />

先 进 的 工 艺 及 条 状 的 原 胞 设 计 结 构 使 得 该 产 品 具 有 较 低 的 导 通 电<br />

阻 、 优 越 的 开 关 性 能 及 很 高 的 雪 崩 击 穿 耐 量 。<br />

该 产 品 可 广 泛 应 用 于 AC-DC 开 关 电 源 ,DC-DC 电 源 转 换<br />

器 , 高 压 H 桥 PWM 马 达 驱 动 。<br />

特 点<br />

∗<br />

∗<br />

∗<br />

∗<br />

∗<br />

4A,600V,RDS(on)( 典 型 值 )=2.0 Ω@VGS=10V<br />

低 栅 极 电 荷 量<br />

低 反 向 传 输 电 容<br />

开 关 速 度 快<br />

提 升 了 dv/dt 能 力<br />

命 名 规 则<br />

产 品 规 格 分 类<br />

产 品 名 称<br />

封 装 形 式<br />

打 印 名 称<br />

材 料<br />

包 装<br />

SVF4N60T<br />

TO-220-3L<br />

SVF4N60T<br />

无 铅<br />

料 管<br />

SVF4N60F<br />

TO-220F-3L<br />

SVF4N60F<br />

无 铅<br />

料 管<br />

<strong>SVF4N60D</strong><br />

TO-252-2L<br />

<strong>SVF4N60D</strong><br />

无 铅<br />

料 管<br />

<strong>SVF4N60D</strong>TR<br />

TO-252-2L<br />

<strong>SVF4N60D</strong><br />

无 铅<br />

编 带<br />

SVF4N60M<br />

TO-251-3L<br />

SVF4N60M<br />

无 铅<br />

料 管<br />

SVF4N60M<br />

TO-251D-3L<br />

SVF4N60M<br />

无 铅<br />

料 管<br />

昆 山 东 森 微 电 子 有 限 公 司<br />

Http://www.ksmcu.com<br />

版 本 号 :1.1<br />

2011.08.26<br />

共 10 页 第 1 页


<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M 说 明 书<br />

极 限 参 数 ( 除 非 特 殊 说 明 ,TC=25°C)<br />

参 数 名 称<br />

符 号<br />

SVF4N60T<br />

参 数 范 围<br />

SVF4N60F<br />

<strong>SVF4N60D</strong>/M<br />

单 位<br />

漏 源 电 压<br />

VDS<br />

600<br />

V<br />

栅 源 电 压<br />

VGS<br />

±30<br />

V<br />

漏 极 电 流<br />

TC=25°C<br />

TC=100°C<br />

ID<br />

4.0<br />

2.5<br />

A<br />

漏 极 脉 冲 电 流<br />

IDM<br />

16<br />

A<br />

耗 散 功 率 (TC=25°C)<br />

- 大 于 25°C 每 摄 氏 度 减 少<br />

PD<br />

100<br />

0.8<br />

33<br />

0.26<br />

77<br />

0.62<br />

W<br />

W/°C<br />

单 脉 冲 雪 崩 能 量 ( 注 1)<br />

EAS<br />

217<br />

mJ<br />

工 作 结 温 范 围<br />

TJ<br />

-55~+150<br />

°C<br />

贮 存 温 度 范 围<br />

Tstg<br />

-55~+150<br />

°C<br />

热 阻 特 性<br />

参 数 名 称<br />

符 号<br />

SVF4N60T<br />

参 数 范 围<br />

SVF4N60F<br />

<strong>SVF4N60D</strong>/M<br />

单 位<br />

芯 片 对 管 壳 热 阻<br />

RθJC<br />

1.25<br />

3.85<br />

1.61<br />

°C/W<br />

芯 片 对 环 境 的 热 阻<br />

RθJA<br />

62.5<br />

120<br />

110<br />

°C/W<br />

关 键 特 性 参 数 ( 除 非 特 殊 说 明 ,TC=25°C)<br />

参 数 名 称<br />

符 号<br />

测 试 条 件<br />

最 小 值<br />

典 型 值<br />

最 大 值<br />

单 位<br />

漏 源 击 穿 电 压<br />

BVDSS<br />

VGS=0V,ID=250µA<br />

600<br />

--<br />

--<br />

V<br />

漏 源 漏 电 流<br />

IDSS<br />

VDS=600V,VGS=0V<br />

--<br />

--<br />

1.0<br />

µA<br />

栅 源 漏 电 流<br />

IGSS<br />

VGS=±30V,VDS=0V<br />

--<br />

--<br />

±100<br />

nA<br />

栅 极 开 启 电 压<br />

VGS(th)<br />

VGS= VDS,ID=250µA<br />

2.0<br />

--<br />

4.0<br />

V<br />

导 通 电 阻<br />

RDS(on)<br />

VGS=10V, ID=2A<br />

--<br />

2.0<br />

2.4<br />

Ω<br />

输 入 电 容<br />

输 出 电 容<br />

反 向 传 输 电 容<br />

Ciss<br />

Coss<br />

Crss<br />

VDS=25V,VGS=0V,<br />

f=1.0MHZ<br />

--<br />

--<br />

--<br />

461<br />

57<br />

1.47<br />

--<br />

--<br />

--<br />

pF<br />

开 启 延 迟 时 间<br />

td(on)<br />

VDD=300V,ID=4A,<br />

--<br />

15.7<br />

--<br />

开 启 上 升 时 间<br />

关 断 延 迟 时 间<br />

tr<br />

td(off)<br />

RG=25Ω<br />

--<br />

--<br />

37.3<br />

19.1<br />

--<br />

--<br />

ns<br />

关 断 下 降 时 间<br />

tf<br />

( 注 2,3)<br />

--<br />

19.3<br />

--<br />

栅 极 电 荷 量<br />

Qg<br />

VDS=480V,ID=4A,<br />

--<br />

8.16<br />

--<br />

栅 极 - 源 极 电 荷 量<br />

Qgs<br />

VGS=10V<br />

--<br />

2.63<br />

--<br />

nC<br />

栅 极 - 漏 极 电 荷 量<br />

Qgd<br />

( 注 2,3)<br />

--<br />

3.01<br />

--<br />

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版 本 号 :1.1<br />

2011.08.26<br />

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<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M 说 明 书<br />

源 - 漏 二 极 管 特 性 参 数<br />

参 数 名 称<br />

符 号<br />

测 试 条 件<br />

最 小 值<br />

典 型 值<br />

最 大 值<br />

单 位<br />

源 极 电 流<br />

源 极 脉 冲 电 流<br />

IS<br />

ISM<br />

MOS 管 中 源 极 、 漏 极 构 成 的<br />

反 偏 P-N 结<br />

--<br />

--<br />

--<br />

--<br />

4.0<br />

16<br />

A<br />

源 - 漏 二 极 管 压 降<br />

VSD<br />

IS=4.0A,VGS=0V<br />

--<br />

--<br />

1.4<br />

V<br />

反 向 恢 复 时 间<br />

Trr<br />

IS=4.0A,VGS=0V,<br />

--<br />

190<br />

--<br />

ns<br />

反 向 恢 复 电 荷<br />

Qrr<br />

dIF/dt=100A/µs ( 注 2)<br />

--<br />

0.53<br />

--<br />

µC<br />

注 :<br />

1.<br />

2.<br />

3.<br />

L=30mH,IAS=3.45A,VDD=155V,RG=25Ω, 开 始 温 度 TJ=25°C;<br />

脉 冲 测 试 : 脉 冲 宽 度 ≤300μs, 占 空 比 ≤2%;<br />

基 本 上 不 受 工 作 温 度 的 影 响 。<br />

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<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M 说 明 书<br />

典 型 特 性 曲 线<br />

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<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M 说 明 书<br />

典 型 特 性 曲 线 ( 续 )<br />

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版 本 号 :1.1<br />

2011.08.26<br />

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<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M 说 明 书<br />

典 型 测 试 电 路<br />

栅 极 电 荷 量 测 试 电 路 及 波 形 图<br />

12V<br />

200nF<br />

50KΩ<br />

300nF<br />

与 待 测 器 件<br />

参 数 一 致<br />

VDS<br />

VGS<br />

10V<br />

Qg<br />

Qgs<br />

Qgd<br />

VGS<br />

待 测 器 件<br />

3mA<br />

电 荷 量<br />

开 关 时 间 测 试 电 路 及 波 形 图<br />

10V<br />

RG<br />

VGS<br />

VDS<br />

RL<br />

待 测 器 件<br />

VDD<br />

VDS<br />

10%<br />

VGS<br />

90%<br />

td(on)<br />

tr<br />

ton<br />

td(off)<br />

tf<br />

toff<br />

EAS 测 试 电 路 及 波 形 图<br />

VDS<br />

ID<br />

L<br />

BVDSS<br />

IAS<br />

EAS =<br />

BVDSS1<br />

LIAS2<br />

2BVDSS - VDD<br />

RG<br />

10V<br />

tp<br />

待 测 器 件<br />

VDD<br />

VDD<br />

ID(t)<br />

VDS(t)<br />

tp<br />

Time<br />

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<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M 说 明 书<br />

封 装 外 形 图<br />

TO-220F-3L(1)<br />

单 位 : mm<br />

TO-220F-3L(2)<br />

单 位 : mm<br />

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<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M 说 明 书<br />

封 装 外 形 图 ( 续 )<br />

TO-252-2L<br />

单 位 : mm<br />

6.60±0.3<br />

2.30±0.20<br />

5.10~5.46<br />

0.45~0.65<br />

Eject pin(note1)<br />

0.0~0.127<br />

2.30 TYP<br />

0.76±0.10<br />

0.45~0.65<br />

该 位 置 分 有 顶 针 孔 和 无 顶 针 孔 两 种 情 况 。<br />

TO-220-3L<br />

单 位 : mm<br />

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<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M 说 明 书<br />

封 装 外 形 图 ( 续 )<br />

TO-251-3L<br />

单 位 : mm<br />

TO-251D-3L<br />

单 位 : mm<br />

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<strong>SVF4N60D</strong>/F/T/M 说 明 书<br />

声 明 :<br />

• SL 保 留 说 明 书 的 更 改 权 , 恕 不 另 行 通 知 ! 客 户 在 下 单 前 应 获 取 最 新 版 本 资 料 , 并 验 证 相 关 信 息 是 否 完<br />

整 和 最 新 。<br />

• 任 何 半 导 体 产 品 特 定 条 件 下 都 有 一 定 的 失 效 或 发 生 故 障 的 可 能 , 买 方 有 责 任 在 使 用 Silan 产 品 进 行 系 统<br />

设 计 和 整 机 制 造 时 遵 守 安 全 标 准 并 采 取 安 全 措 施 , 以 避 免 潜 在 失 败 风 险 可 能 造 成 人 身 伤 害 或 财 产 损 失 情<br />

况 的 发 生 !<br />

产 品 提 升 永 无 止 境 , 我 公 司 将 竭 诚 为 客 户 提 供 更 优 秀 的 产 品 !<br />

•<br />

附 :<br />

修 改 记 录 :<br />

日 期 版 本 号 描 述 页 码<br />

2010.12.13 1.0 原 版<br />

2011.08.26<br />

1.1<br />

增 加 TO-251-3L 和 TO-251D-3L 封 装<br />

SL 一 级 授 权 总 代 理 : 昆 山 东 森 微 电 子 有 限 公 司<br />

手 机 :15950933050<br />

电 话 :0512-50710709<br />

传 真 :0512-50111209<br />

MSN:wei_126@hotmail.com<br />

Q Q:41086900<br />

网 站 :http://www.ksmcu.com<br />

昆 山 东 森 微 电 子 有 限 公 司<br />

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版 本 号 :1.1 2011.08.26<br />

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