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东 森 微 电 子
SVF4N70F 说 明 书
4A、700V N 沟 道 增 强 型 场 效 应 管
描 述
SVF4N70F N 沟 道 增 强 型 高 压 功 率 MOS 场 效 应 晶 体 管 采 用
SILAN F-CellTM 平 面 高 压 VDMOS 工 艺 技 术 制 造 。 先 进 的 工
艺 及 条 状 的 原 胞 设 计 结 构 使 得 该 产 品 具 有 较 低 的 导 通 电 阻 、 优 越
的 开 关 性 能 及 很 高 的 雪 崩 击 穿 耐 量 。
该 产 品 可 广 泛 应 用 于 AC-DC 开 关 电 源 ,DC-DC 电 源 转 换
器 , 高 压 H 桥 PWM 马 达 驱 动 。
特 点
∗
∗
∗
∗
∗
4A,700V,RDS(on)( 典 型 值 )=2.5Ω@VGS=10V
低 栅 极 电 荷 量
低 反 向 传 输 电 容
开 关 速 度 快
提 升 了 dv/dt 能 力
命 名 规 则
产 品 规 格 分 类
产 品 名 称
封 装 形 式
打 印 名 称
材 料
包 装 形 式
SVF4N70F
TO-220F-3L
SVF4N70F
无 铅
料 管
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SVF4N70F 说 明 书
极 限 参 数 ( 除 非 特 殊 说 明 ,TC=25°C)
参
数
符 号
参 数 范 围
单 位
漏 源 电 压
VDS
700
V
栅 源 电 压
VGS
±30
V
漏 极 电 流
TC=25°C
TC=100°C
ID
4.0
2.53
A
漏 极 脉 冲 电 流
IDM
16.0
A
耗 散 功 率 (TC=25°C)
- 大 于 25°C 每 摄 氏 度 减 少
PD
33
0.26
W
W/°C
单 脉 冲 雪 崩 能 量 ( 注 1)
EAS
242
mJ
工 作 结 温 范 围
TJ
-55~+150
°C
贮 存 温 度 范 围
Tstg
-55~+150
°C
热 阻 特 性
参
数
符 号
参 数 范 围
单 位
芯 片 对 管 壳 热 阻
RθJC
3.79
°C/W
芯 片 对 环 境 的 热 阻
RθJA
120
°C/W
电 性 参 数 ( 除 非 特 殊 说 明 ,TC=25°C)
参
数
符 号
测 试 条 件
最 小 值
典 型 值
最 大 值
单 位
漏 源 击 穿 电 压
BVDSS
VGS=0V,ID=250µA
700
--
--
V
漏 源 漏 电 流
IDSS
VDS=700V,VGS=0V
--
--
1.0
µA
栅 源 漏 电 流
IGSS
VGS=±30V,VDS=0V
--
--
±100
nA
栅 极 开 启 电 压
VGS(th)
VGS= VDS,ID=250µA
2.0
--
4.0
V
导 通 电 阻
RDS(on)
VGS=10V,ID=2.0A
--
2.5
2.7
Ω
输 入 电 容
Ciss
--
497.67
--
输 出 电 容
Coss
VDS=25V,VGS=0V, f=1.0MHz
--
56.43
--
pF
反 向 传 输 电 容
Crss
--
2.36
--
开 启 延 迟 时 间
开 启 上 升 时 间
关 断 延 迟 时 间
关 断 下 降 时 间
td(on)
tr
td(off)
tf
VDD=350V,RG=25Ω,ID=4.0A
( 注 2,3)
--
--
--
--
15.73
34.40
24.93
23.60
--
--
--
--
ns
栅 极 电 荷 量
栅 极 - 源 极 电 荷 量
栅 极 - 漏 极 电 荷 量
Qg
Qgs
Qgd
VDS=560V,ID=4.0A,VGS=10V
( 注 2,3)
--
--
--
10.34
3.15
3.90
--
--
--
nC
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源 - 漏 二 极 管 特 性 参 数
参
数
符 号
测 试 条 件
最 小 值
典 型 值
最 大 值
单 位
源 极 电 流
源 极 脉 冲 电 流
IS
ISM
MOS 管 中 源 极 、 漏 极 构 成 的 反
偏 P-N 结
--
--
--
--
4.0
16.0
A
源 - 漏 二 极 管 压 降
VSD
IS=4.0A,VGS=0V
--
--
1.4
V
反 向 恢 复 时 间
Trr
IS=4.0A,VGS=0V,
--
190
--
ns
反 向 恢 复 电 荷
Qrr
dIF/dt=100A/µs( 注 2)
--
0.53
--
µC
注 :
1.
2.
3.
L=30mH,IAS=3.72A,VDD=100V,RG=25Ω, 开 始 温 度 TJ=25°C;
脉 冲 测 试 : 脉 冲 宽 度 ≤300μs, 占 空 比 ≤2%;
基 本 上 不 受 工 作 温 度 的 影 响 。
典 型 特 性 曲 线
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典 型 特 性 曲 线 ( 续 )
1200
1000
图 5. 电 容 特 性
Ciss=Cgs+Cgd( Cds=shorted)
Coss=Cds+
Cgd
Crss=Cgd
12
10
VDS=560V
VDS=350V
VDS=140V
图 6. 电 荷 量 特 性
800
电 容 (pF)
600
栅 源 电 压 –
VGS(V) 8
6
400
200
Ciss
Coss
Crss
注 :
1. VGS=0V
2. f=1MHz
4
2
注 :ID=4.0A
0
0.1
1
10
100
0
0
3
6
9
12
漏 源 电 压 – VDS(V)
总 栅 极 电 荷 – Qg(nC)
漏 源 击 穿 电 压
( 标 准 化 )–
1.2
BVDSS(V)
图 7. 击 穿 电 压 vs. 温 度 特 性
漏 源 导 通 电 阻
( 标 准 化 ) –
RDS(ON)(Ω) 3.0
2.5
图 8. 导 通 电 阻 vs. 温 度 特 性
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
注 :
1. VGS=0V
2. ID=250µA
0.5
注 :
1. VGS=10 V
2. ID=2.0A
0.8
-100
-50
0 50 100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
结 温 – TJ(°C)
结 温 – TJ(°C)
漏 极 电 流 -
ID(A)
10 2
图 9. 最 大 安 全 工 作 区 域
此 区 域 工 作 受 限 于 RDS(ON)
漏 极 电 流 -
4. 0
ID(A)
3.5
图 10. 最 大 漏 极 电 流 vs. 壳 温
101
100µs
3.0
1ms
2.5
100
10ms
2.0
DC
1.5
10-1
注 :
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3. 单 个 脉 冲
1.0
0.5
10-2
100
101
102
103
0
25
50
75
100
125
150
漏 源 电 压 - VDS(V)
壳 温 – TC(°C)
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典 型 测 试 电 路
栅 极 电 荷 量 测 试 电 路 及 波 形 图
12V
200nF
50KΩ
300nF
与 待 测 器 件
参 数 一 致
VDS
VGS
10V
Qg
Qgs
Qgd
VGS
待 测 器 件
3mA
电 荷 量
开 关 时 间 测 试 电 路 及 波 形 图
10V
RG
VGS
VDS
RL
待 测 器 件
VDD
VDS
10%
VGS
90%
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
EAS 测 试 电 路 及 波 形 图
VDS
ID
L
BVDSS
IAS
EAS =
BVDSS1
LIAS2
2BVDSS - VDD
RG
10V
tp
待 测 器 件
VDD
VDD
ID(t)
VDS(t)
tp
Time
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封 装 外 形 图
TO-220F-3L(1)
单 位 : mm
TO-220F-3L(2)
单 位 : mm
10.03±0.30
Φ3.20±0.20
2.55±0.25
4.72±0.30
1.47MAX
2.80±0.30
0.80±0.15
2.54 TYPE
0.50±0.15
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声 明 :
• SL 保 留 说 明 书 的 更 改 权 , 恕 不 另 行 通 知 ! 客 户 在 下 单 前 应 获 取 最 新 版 本 资 料 , 并 验 证 相 关 信 息 是 否 完
整 和 最 新 。
• 任 何 半 导 体 产 品 特 定 条 件 下 都 有 一 定 的 失 效 或 发 生 故 障 的 可 能 , 买 方 有 责 任 在 使 用 Silan 产 品 进 行 系 统
设 计 和 整 机 制 造 时 遵 守 安 全 标 准 并 采 取 安 全 措 施 , 以 避 免 潜 在 失 败 风 险 可 能 造 成 人 身 伤 害 或 财 产 损 失 情
况 的 发 生 !
产 品 提 升 永 无 止 境 , 我 公 司 将 竭 诚 为 客 户 提 供 更 优 秀 的 产 品 !
•
附 :
修 改 记 录 :
日 期 版 本 号 描 述 页 码
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原 版
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电 话 :0512-50710709
传 真 :0512-50111209
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