Datenblatt / Data sheet

N 

Netz-Thyristor 

Phase Control Thyristor 

Datenblatt / Data sheet 

T2810N 

Vorläufige Daten 

preliminary data 

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties 

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values 

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung 

enndaten 

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung 

non-repetitive peak forward off-state voltage 

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung 

non-repetitive peak reverse voltage 

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert 

maximum RMS on-state current 

Dauergrenzstrom 

average on-state current 

Dauergrenzstrom 

average on-state current 

Durchlaßstrom-Effektivwert 

RMS on-state current 

Stossstrom-Grenzwert 

surge current 

Grenzlastintegral 

I²t-value 

Kritische Stromsteilheit 

critical rate of rise of on-state current 

Kritische Spannungssteilheit 

critical rate of rise of off-state voltage 

T vj = -40°C... T vj max V DRM ,V RRM 1600 

1800 

Elektrische Eigenschaften 

T vj = -40°C... T vj max V DSM 1600 

1800 

T vj = +25°C... T vj max V RSM 1700 

1900 

I TRMSM 

2000 

2200 

2000 

2200 

2100 

2300 

V 

V 

V 

V 

V 

V 

5800 A 

T C = 85 °C I TAVM 2810 A 

T C = 55 °C, θ = 180°sin, t P = 10 ms I TAVM 4070 A 

T vj = 25 °C °C, t P = 10 ms 

T vj = T vj max , t P = 10 ms 

T vj = 25 °C, t P = 10 ms 

T vj = T vj max , t P = 10 ms 

DIN IEC 60747-6 

f = 50 Hz, i GM = 1A, di G /dt = 1 A/µs 

T vj = T vj max , v D = 0,67 V DRM 

5.Kennbuchstabe / 5 th letter F 

I TRMS 

6390 A 

I TSM 58000 

50000 

I²t 16820 

12500 

(di T /dt) cr 

(dv D /dt) cr 

A 

A 

10³ A²s 

10³ A²s 

200 A/µs 

1000 V/µs 

Charakteristische Werte / Characteristic values 

Durchlassspannung 

on-state voltage 

Schleusenspannung 

threshold voltage 

Ersatzwiderstand 

slope resistance 

Durchlasskennlinie 

on-state characteristic 

v 

T 

= A + B ⋅ i 

Zündstrom 

gate trigger current 

Zündspannung 

gate trigger voltage 

T 

1000 A ≤ i T ≤ 14000 A 

+ C ⋅ ln(i 

Nicht zündender Steuerstrom 

gate non-trigger current 

Nicht zündende Steuerspannung 

gate non-trigger voltage 

Haltestrom 

holding current 

T 

+ 1) + D ⋅ 

i 

T 

T vj = T vj max , i T = 11 kA 

T vj = T vj max , i T = 3 kA 

v T 

max. 

max. 

2,13 

1,25 

T vj = T vj max V (TO) 0,90 V 

T vj = T vj max r T 0,112 mΩ 

T vj = T vj max A= 

B= 

C= 

D= 

9,473E-01 

6,789E-05 

-4,228E-02 

7,908E-03 

T vj = 25 °C, v D = 12V I GT max. 300 mA 

T vj = 25 °C, v D = 12V V GT max. 2,5 V 

T vj = T vj max , v D = 12V 

T vj = T vj max , v D = 0,5 V DRM 

I GD 

max. 

max. 

T vj = T vj max , v D = 0,5 V DRM V GD max. 0,25 V 

10 

5 

V 

V 

mA 

mA 

T vj = 25°C, v D = 12V I H max. 300 mA 

Einraststrom 

latching current 

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom 

forward off-state and reverse current 

Zündverzug 

gate controlled delay time 

T vj = 25°C, v D = 12V, R GK ≥ 10 Ω 

i GM = 1 A, di G /dt = 1 A/µs, t g = 20 µs 

T vj = T vj max 

v D = V DRM , v R = V RRM 

DIN IEC 60747-6 

T vj = 25 °C, i GM = 1 A, di G /dt = 1 A/µs 

I L max. 1500 mA 

i D , i R max. 250 mA 

t gd max. 4 µs 

prepared by: H.Sandmann date of publication: 2008-03-06 

approved by: J.Przybilla revision: 0.2 

IFBIP D AEC / 2008-03-03, H.Sandmann A 06/08 Seite/page 1/10

N 




T2810N 



Elektrische Eigenschaften / Electrical properties 

Charakteristische Werte / Characteristic values 

Freiwerdezeit 

circuit commutated turn-off time 

T vj = T vj max , i TM = I TAVM 

Thermische v RM 

Eigenschaften 

= 100 V, v DM = 0,67 V DRM 

dv D /dt = 20 V/µs, -di T /dt = 10 A/µs 

Mechanische 

4.Kennbuchstabe 

Eigenschaften 

/ 4 th letter O 

t q typ. 300 µs 

Thermische Eigenschaften / Thermal properties 

Innerer Wärmewiderstand 

thermal resistance, junction to case 

Übergangs-Wärmewiderstand 

thermal resistance, case to heatsink 

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur 

maximum junction temperature 

Betriebstemperatur 

operating temperature 

Lagertemperatur 

storage temperature 

Kühlfläche / cooling surface 

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin 

beidseitig / two-sided, DC 

Anode / anode, θ = 180°sin 

Anode / anode, DC 

Kathode / cathode, θ = 180°sin 

Kathode / cathode, DC 

Kühlfläche / cooling surface 

beidseitig / two-sides 

einseitig / single-sides 

R thJC 

R thCH 

max. 

max. 

max. 

max. 

max. 

max. 

0,0085 

0,0078 

0,0152 

0,0146 

0,0183 

0,0169 

°C/W 

°C/W 

°C/W 

°C/W 

°C/W 

°C/W 

max. 

max. 

0,0025 

0,0050 

°C/W 

°C/W 

T vj max 125 °C 

T c op -40...+125 °C 

T stg -40...+150 °C 

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties 

Gehäuse, siehe Anlage 

case, see annex 

Si-Element mit Druckkontakt 

Si-pellet with pressure contact 

Anpresskraft 

clamping force 

Steueranschlüsse 

control terminals 

Gewicht 

weight 

Kriechstrecke 

creepage distance 

Schwingfestigkeit 

vibration resistance 

Gate (flat) 

Gate (round, based on AMP 60598) 

Kathode / cathode 

Seite 3 

page 3 

F 42...95 kN 

A 2,8x0,5 

Ø 1,5 

A 4,8x0,5 

G typ. 1200 g 

mm 

mm 

mm 

25 mm 

f = 50 Hz 50 m/s² 


N 




T2810N 



Massbild 

4 5 

1 2 

1: Anode / Anode 

2: Kathode / Cathode 

4: Gate 

5: Hilfskathode/ 

Auxiliary Cathode 


N 




T2810N 



R,t – Werte 

Diagramme 

Kühlung Diagramme / 

Cooling 

beidseitig 

two-sided 

anodenseitig 

anode-sided 

kathodenseitig 

cathode-sided 

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC 

Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC 

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 

Trans. Wärmewid. beidseitig 

R thn [°C/W] 0,00003 0,00039 0,00123 0,00280 0,00338 - - 

τ n [s] 0,00006 0,00392 0,01520 0,20680 1,09140 - - 

R thn [°C/W] 0,00001 0,00037 0,00190 0,00130 0,00434 0,00668 - 

τ n [s] 0,00001 0,00182 0,00951 0,13500 0,34700 1,54000 - 

R thn [°C/W] 0,00003 0,00073 0,00302 0,00802 0,00510 - - 

τ n [s] 0,00004 0,00341 0,02150 0,13500 1,11000 - - 

n max 

-t 

= τn 

thn 

n=1 

Analytische Funktion / Analytical function: Z Σ R 1− 

e 

thJC 

0,020 

c 

0,015 

a 

Z thJC [°C/W] 

0,010 

b 

0,005 

0,000 

0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC 

Z thJC = f(t) 

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling 


N 




T2810N 



Erhöhung des Z th DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ 

Rise of Z th DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ 

Durchlasskennlinie 

∆Z th Θ rec / ∆Z th Θ sin 

Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30° 

beidseitig 

two-sided 

∆Z th Θ rec 

[°C/W] 

∆Z th Θ sin 

[°C/W] 

0,00084 0,00000 0,00161 0,00201 0,00259 

0,00069 0,00093 0,00120 0,00156 0,00208 

anodenseitig 

anode-sided 


[°C/W] 


[°C/W] 

0,00143 0,00228 0,00288 0,00371 0,00492 

0,00112 0,00154 0,00208 0,00289 0,00425 

kathodenseitig 

cathode-sided 


[°C/W] 


[°C/W] 

0,00170 0,00261 0,00322 0,00399 0,00506 

0,00144 0,00191 0,00246 0,00321 0,00430 

Z th Θ rec = Z th DC + ∆Z th Θ rec 

Z th Θ sin = Z th DC + ∆Z th Θ sin 

16.000 

14.000 

12.000 

10.000 


i T [A] 

8.000 

6.000 

4.000 

2.000 

0 

0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6 

V T [V] 

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i T = f(v T ) 



N 




T2810N 



8000 

6000 

Durchlassverluste 

0° 180° 

60° 

0 

θ = 30° 

90° 

120° 

180° 

P TAV [W] 

4000 

2000 

0 

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 

I TAV [A] 

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P TAV = f(I TAV ) 

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current 

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ 

140 

120 

0° 

0 

180° 

100 

T C [°C] 

80 

60 

40 

20 

θ = 30° 

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 

I TAV [A] 

60° 

90° 

120° 

180° 

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(I TAV ) 

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current 

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 



N 




T2810N 



10000 

P TAV [W] 

8000 

6000 

4000 

0° 

0 

180° 

θ = 30° 

60° 

Tc 

90° 

120° 

180° 

DC 

2000 

0 

0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 

I TAV [A] 

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P TAV = f(I TAV ) 

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current 


140 

120 

0° 

0 

180° 

100 

T C [°C] 

80 

60 

40 

20 

θ = 30° 

60° 

90° 

120° 

0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 

I TAV [A] 

180° 

DC 

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(I TAV ) 

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current 

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 



N 



100 


T2810N 

Steuerkennlinie 



10 

c 

b 

v G [V] 

1 

T vj = 

+125°C 

T vj = +25°C 

T vj = -40 °C 

a 

0,1 

100000 

10 100 i G [mA] 1000 10000 

Steuercharakteristik v G = f (i G ) mit Zündbereichen für V D = 12 V 

Gate characteristic v G = f (i G ) with triggering area for V D = 12 V 

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P GM = f (t g ) : 

Zündverzug 

a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms 

Q r [µAs] 

i TM = 4000A 

10000 

2000A 

1000A 

500A 

200A 

100A 

1000 

1 10 -di/dt [A/µs] 

100 

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q r = f(di/dt) 

T vj = T vjmax , v R ≤ 0,5 V RRM , V RM = 0,8 V RRM 

Parameter: Durchlassstrom / On-state current i TM 


N 




T2810N 



60 

50 

40 

I T(OV)M [kA] 

30 

20 

10 

0-50V 

0,33 VRRM 

0,67 VRRM 

0 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 

Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen 

Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves 

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I T(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus 

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V RM 

Typical dependency of maximum overload on-state current I T(OV)M as a number of a sequence of 

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V RM 

I T(OV)M = f (pulses, V RM ) ; T vj = T vjmax 


N 




T2810N 



Nutzungsbedingungen 

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zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. 

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder 

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle 

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; 

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; 

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend 

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig 

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Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. 

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Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please 

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- to perform joint Risk and Quality Assessments; 

- the conclusion of Quality Agreements; 

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on 

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