Nr 1 - ITME
Nr 1 - ITME
Nr 1 - ITME
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
P. Potera, T, Łukasiewicz, M. Świrkowicz<br />
PL ISSN 0209-0066 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 37 - <strong>Nr</strong> 1/2009<br />
WPŁYW PROMIENIOWANIA JONIZUJĄCEGO NA WŁASNOŚCI<br />
OPTYCZNE WYBRANYCH KRYSZTAŁÓW TYPU ABO 3<br />
Piotr Potera 1 , Tadeusz Łukasiewicz 2 , Marek Świrkowicz 2<br />
Praca stanowi syntetyczne ujęcie zagadnień związanych z kompleksowymi badaniami<br />
wpływu promieniowania (kwanty gamma, UV, elektrony, szybkie neutrony) na<br />
własności optyczne niedomieszkowanych i domieszkowanych wieloskładnikowych<br />
kryształów tlenkowych typu ABO 3<br />
, otrzymanych w <strong>ITME</strong>: perowskitu itrowo-glinowego<br />
i niobianu litu. Zmiany własności optycznych tych kryształów wkutek napromieniowania<br />
są wynikiem powstawania centrów barwnych, zarówno poprzez zmianę<br />
stanu ładunkowego defektów wzrostowych jak i tworzenia się defektów radiacyjnych<br />
w wyniku przemieszczenia atomów.<br />
Słowa kluczowe: kryształ tlenkowy, ABO 3<br />
, własności optyczne<br />
1. WSTĘP<br />
Intensywny rozwój optoelektroniki i elektroniki kwantowej wymaga stosowania<br />
nowych materiałów o różnorodnych własnościach fizykochemicznych oraz optycznych.<br />
W grupie tych materiałów na szczególną uwagę zasługują kryształy tlenkowe,<br />
wykorzystywane m. in. jako ośrodki czynne laserów na ciele stałym, elementy optyczne<br />
do kształtowania oraz przetwarzania charakterystyk czasowych i spektralnych<br />
promieniowania, scyntylatory, pasywne modulatory dobroci rezonatorów laserowych<br />
oraz ośrodki do optycznego zapisu informacji [1-5]. Oprócz tego kryształy tlenkowe<br />
znalazły praktyczne zastosowanie m. in. jako podłoża pod różnego rodzaju struktury<br />
elektroniczne, elementy termoelektryczne, ferromagnetyczne, ferroelektryczne, piezoelektryczne<br />
oraz termoemisyjne. Wśród monokryształów tlenkowych, ze względu<br />
1<br />
Instytut Fizyki, Uniwersytet Rzeszowski, ul. Rejtana 16A, 35-959, Rzeszów<br />
2<br />
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa<br />
Praca dedykowana jest pamięci prof. A. Matkowskiego, inicjatora i współautora prezentowanych<br />
badań, zmarłego 10.02.2004 r.<br />
5
Change language