Nr 1 - ITME

P. Potera, T, Łukasiewicz, M. Świrkowicz
tronami dla dużych dawek promieniowania mogą być rezultatem tworzenia centrów
barwnych typu F (centrów F i F + związanych z defektem sieci krystalicznej) oraz
kompleksowych CC (np. [V Li
F + ]), odpowiednio na drodze wychwytu elektronów
przez RDD w postaci pojedynczych wakansów tlenowych lub wakansów tlenowych
wchodzących w skład kompleksów (np. [V Li
V o
]). Jak wiadomo [82] centra
typu F powstające w kryształach LN, na RDD w postaci wakansów tlenowych, pod
wpływem dużych dawek wysokoenergetycznych elektronów mają pasma absorpcji
z maksimami w okolicy 21000 cm -1 oraz 25600 cm -1 . Za przesunięcie krótkofalowej
krawędzi absorpcji kryształów LN mogą odpowiadać defekty kompleksowe
[V Li
V o
]. Dodatkową przyczyną wzrostu intensywności pasma długofalowego może
być tworzenie w procesie napromieniowania nowych pojedynczych wakansów litowych
i wychwyt dziury. Pasma absorpcji centrów F oraz polaronów dziurowych
tworzonych na V Li
nakładają się na pasma absorpcji centrów O - i (Nb Li
) 4+ -(Nb Nb
) 4+
powstających na drodze wychwytu nośników ładunku przez defekty genetyczne.
W związku z tym, że w czystym LN pasma absorpcji CC tworzonych na RDD oraz
defektach genetycznych pokrywają się, dla fluencji cząstek większych od 10 16 cm -2
nie obserwujemy tworzenia nowych pasm AA, a jedynie ogólny wzrost intensywności
AA przy wzroście fluencji (dawki), związany ze wzrostem koncentracji RDD.
6.2.3. Niestabilne centra barwne w kryształach YAP i LN
Widmo niestabilnej dodatkowej absorpcji (tj. AA zanikającej w czasie mniejszym
niż 1 s) kryształu YAP:Pr indukowane przez wiązkę elektronów o energii 250 keV
(mierzone w temperaturze pokojowej w momencie zakończenia impulsu napromieniowania)
rozciąga się w szerokim zakresie liczb falowych 30000 - 10000 cm -1
(Rys. 21).
Rys. 21. Widmo niestabilnej AA kryształu YAP:Pr.
Fig. 21. Instable AA spectra in YAP:Pr crystal.
43