Nr 1 - ITME

Wpływ promieniowania jonizującego na własności optyczne...
szą od 10 6 Gy prowadzi, w porównaniu do kwantów gamma, do znacznie intensywniejszego
zabarwienia kryształu oraz intensywnej AA rozciągającej się w tym
samym obszarze liczb falowych tj. 30000-15000 cm -1 (Rys. 20), o intensywności
rosnącej z fluencją cząstek. W przypadku neutronów AA towarzyszy przesunięcie
krótkofalowej krawędzi absorpcji kryształu w kierunku długofalowym. Intensywna
AA z maksimum w okolicy 25600 cm -1 oraz 20800 cm -1 była także obserwowana
dla kryształów LN napromieniowanych elektronami o energii 1,6 MeV z fluencją
2⋅10 18 cm -2 [84], LN:Fe napromieniowanych szybkimi neutronami z fluencją większą
od 10 16 cm -2 [80] oraz LN:Fe napromieniowanych elektronami o energii 1,6 MeV
z fluencją 10 17 cm -2 [91].
Rys. 20. AA kryształów LN napromieniowanych kwantami gamma: (1) D = 10 6 Gy; elektronami;
(2) Е = 1.3 MeV, D = 10 6 Gy; (3) Е = 3.5 МеV, D=10 6 Gy lub neutronami; (4) F = 10 16 сm -2 ;
(5) F=10 18 сm -2 [80].
Fig. 20. AA spectra in LN crystals gamma quantum irradiated: D = 10 6 Gy (1); beam electron
Е = 1.3 MeV, D = 10 6 Gy (2); Е = 3.5 МеV, D=10 6 Gy (3);and electron beam F = 10 16 сm -2
(4); F=10 18 сm -2 (5) [80].
Wyniki obliczeń koncentracji RDD powstających w procesie napromieniowania
kryształu LN wysokoenergetycznymi cząstkami [80] wskazują, że dla elektronów
o energii 3,5 MeV oraz szybkich neutronów podstawowym typem radiacyjnych
defektów przemieszczenia są defekty podsieci tlenowej. Dla fluencji elektronów lub
neutronów równych 10 17 cm 2 koncentracja RDD w podsieci tlenowej (a więc także
koncentracja wakansów tlenowych) jest odpowiednio rzędu 10 17 cm -3 oraz 10 18 cm -3 ,
a więc porównywalna z koncentracją defektów genetycznych [80].
Obserwowane zmiany współczynnika absorpcji kryształów LN mające miejsce
w procesie napromieniowania wysokoenergetycznymi elektronami lub szybkimi neu-
42