Nr 1 - ITME
Nr 1 - ITME
Nr 1 - ITME
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
P. Potera, T, Łukasiewicz, M. Świrkowicz<br />
wakans tlenowy znajdujący się w pobliżu defektu kompleksowego może prowadzić<br />
do powstania centrum F + , którego ładunek jest kompensowany przez jednoujemny<br />
ładunek kompleksu. Kompleks [V k<br />
V O<br />
] - może także stabilizować centrum O - znajdujące<br />
się w jego pobliżu, tworzone zarówno w oparciu o jony tlenu w pozycji<br />
regularnej, jak i międzywęzłowej (RDD w postaci jonu tlenu). Wkład w AA mogą<br />
mieć także centra F tworzone na drodze wychwytu elektronów przez RDD w postaci<br />
wakansów tlenowych. Nasycanie się zależności intensywności AA od fluencji<br />
neutronów (Rys. 19) dla F > 5 x 10 18 cm -2 może być związane z procesem anihilacji<br />
składników par Frenkla w strefach niestabilności [80].<br />
Rys. 19. Zależność intensywności AA mierzonej na 23000 cm -1 dla kryształu YAP:Er w funkcji<br />
fluencji neutronów.<br />
Fig. 19. Intensity dependence DA measured for 23000 cm -1 for YAP:Er vs. neutron fluence.<br />
Zmiany absorpcji identyczne jak w przypadku napromieniowania kwantami<br />
gamma były obserwowane po napromieniowaniu kryształu LN szybkimi neutronami<br />
o średniej energii 2 MeV z fluencją nieprzekraczającą 10 16 сm -2 lub elektronami<br />
o energii 1,3 MeV i 3,5 MeV z fluencją mniejszą od 10 16 cm -2 (D∼2⋅10 6 Gy).<br />
Wartość AA dla fluencji neutronów rzędu 10 14 -10 16 сm -2 jest zbliżona do wartości<br />
AA powstającej po napromieniowaniu kwantami gamma lub elektronami o energii<br />
1,3 MeV przy dawce pochłoniętej 10 4 -10 6 Gy (Rys. 20). W związku z tym, można<br />
przyjąć, że AA powstająca w kryształach LN napromieniowanych elektronami lub<br />
neutronami przy fluencjach mniejszych od 10 16 cm -2 związana jest, podobnie jak dla<br />
kwantów gamma, z centrami barwnymi tworzonymi w procesie napromieniowania<br />
na drodze zmiany stanu ładunkowego defektów rodzimych.<br />
Napromieniowanie kryształu LN szybkimi neutronami z fluencją większą od<br />
10 16 сm -2 lub wysokoenergetycznymi elektronami o energii 3,5 MeV z dawką więk-<br />
41