Nr 1 - ITME

P. Potera, T, Łukasiewicz, M. Świrkowicz
wakans tlenowy znajdujący się w pobliżu defektu kompleksowego może prowadzić
do powstania centrum F + , którego ładunek jest kompensowany przez jednoujemny
ładunek kompleksu. Kompleks [V k
V O
] - może także stabilizować centrum O - znajdujące
się w jego pobliżu, tworzone zarówno w oparciu o jony tlenu w pozycji
regularnej, jak i międzywęzłowej (RDD w postaci jonu tlenu). Wkład w AA mogą
mieć także centra F tworzone na drodze wychwytu elektronów przez RDD w postaci
wakansów tlenowych. Nasycanie się zależności intensywności AA od fluencji
neutronów (Rys. 19) dla F > 5 x 10 18 cm -2 może być związane z procesem anihilacji
składników par Frenkla w strefach niestabilności [80].
Rys. 19. Zależność intensywności AA mierzonej na 23000 cm -1 dla kryształu YAP:Er w funkcji
fluencji neutronów.
Fig. 19. Intensity dependence DA measured for 23000 cm -1 for YAP:Er vs. neutron fluence.
Zmiany absorpcji identyczne jak w przypadku napromieniowania kwantami
gamma były obserwowane po napromieniowaniu kryształu LN szybkimi neutronami
o średniej energii 2 MeV z fluencją nieprzekraczającą 10 16 сm -2 lub elektronami
o energii 1,3 MeV i 3,5 MeV z fluencją mniejszą od 10 16 cm -2 (D∼2⋅10 6 Gy).
Wartość AA dla fluencji neutronów rzędu 10 14 -10 16 сm -2 jest zbliżona do wartości
AA powstającej po napromieniowaniu kwantami gamma lub elektronami o energii
1,3 MeV przy dawce pochłoniętej 10 4 -10 6 Gy (Rys. 20). W związku z tym, można
przyjąć, że AA powstająca w kryształach LN napromieniowanych elektronami lub
neutronami przy fluencjach mniejszych od 10 16 cm -2 związana jest, podobnie jak dla
kwantów gamma, z centrami barwnymi tworzonymi w procesie napromieniowania
na drodze zmiany stanu ładunkowego defektów rodzimych.
Napromieniowanie kryształu LN szybkimi neutronami z fluencją większą od
10 16 сm -2 lub wysokoenergetycznymi elektronami o energii 3,5 MeV z dawką więk-
41