Nr 1 - ITME
Nr 1 - ITME
Nr 1 - ITME
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Wpływ promieniowania jonizującego na własności optyczne...<br />
wania gamma towarzyszącego neutronom. Zgodnie z danymi z pracy [80] fluencji<br />
neutronów z przedziału 10 14 -10 17 cm -2 odpowiada koncentracja wybitych jonów rzędu<br />
10 15 -10 18 cm -3 . Analogiczna AA powstaje dla kryształów YAP:Nd [80].<br />
Dla fluencji neutronów większych od 10 17 cm -2 w widmie absorpcji kryształu<br />
YAP:Er zaznacza się przesunięcie krótkofalowej krawędzi absorpcji w kierunku<br />
długofalowym oraz występuje znaczny wzrost wartości AA (Rys. 18). Ze względu<br />
na dużą wartość gęstości optycznej napromieniowanych próbek otrzymanie struktury<br />
AA dla fluencji neutronów 10 18 cm -2 lub większych okazało się niemożliwe.<br />
Rys. 18. Widmo AA kryształu YAP:Er napromieniowanego szybkimi neutronami z fluencją:<br />
10 15 cm -2 (1); 10 17 cm -2 (2); 10 18 cm -2 (3); 5 x 10 18 cm -2 (4) lub elektronami o energii 3,5 MeV<br />
z fluencją 10 16 cm -2 (5).<br />
Fig. 18. AA spectra in YAP: Er fast neutrons irradiated with fluence:10 15 cm -2 (1); 10 17 cm -2<br />
(2); 10 18 cm -2 (3); 5 x 10 18 cm -2 (4) and beam electrons irradiated with energy 3,5 MeV and<br />
with fluence 10 16 cm -2 (5).<br />
Wartość AA kryształu YAP:Er mierzona dla liczby falowej 23000 cm -1 i dla<br />
fluencji z przedziału 10 17 - 5 x 10 18 cm -2 wykazuje silny wzrost z fluencją neutronów.<br />
Dla fluencji większych od 5 x 10 18 cm -2 zaznacza się słaba tendencja do nasycenia<br />
omawianej zależności (Rys. 19). Analogiczna zależność była obserwowana dla<br />
kryształu YAP:Nd [80].<br />
Opisane zmiany absorpcji mogą być wynikiem powstawania RDD w procesie<br />
napromieniowania. Zgodnie z obliczeniami teoretycznymi dla fluencji neutronów<br />
równej 10 18 cm -2 , koncentracja RDD w YAP jest rzędu 2 x 10 19 cm -2 , przy czym<br />
znaczną część defektów stanowią defekty podsieci tlenowej (~ 80%) [80].<br />
Za przesunięcie krótkofalowej krawędzi absorpcji w kierunku długofalowym<br />
mogą odpowiadać kompleksy defektów radiacyjnych, wakans kationowy - wakans<br />
tlenowy (V k<br />
V O-<br />
) powstające w procesie napromieniowania. Wychwyt elektronu przez<br />
40