24.12.2013 Views

Nr 1 - ITME

Nr 1 - ITME

Nr 1 - ITME

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Wpływ promieniowania jonizującego na własności optyczne...<br />

wania gamma towarzyszącego neutronom. Zgodnie z danymi z pracy [80] fluencji<br />

neutronów z przedziału 10 14 -10 17 cm -2 odpowiada koncentracja wybitych jonów rzędu<br />

10 15 -10 18 cm -3 . Analogiczna AA powstaje dla kryształów YAP:Nd [80].<br />

Dla fluencji neutronów większych od 10 17 cm -2 w widmie absorpcji kryształu<br />

YAP:Er zaznacza się przesunięcie krótkofalowej krawędzi absorpcji w kierunku<br />

długofalowym oraz występuje znaczny wzrost wartości AA (Rys. 18). Ze względu<br />

na dużą wartość gęstości optycznej napromieniowanych próbek otrzymanie struktury<br />

AA dla fluencji neutronów 10 18 cm -2 lub większych okazało się niemożliwe.<br />

Rys. 18. Widmo AA kryształu YAP:Er napromieniowanego szybkimi neutronami z fluencją:<br />

10 15 cm -2 (1); 10 17 cm -2 (2); 10 18 cm -2 (3); 5 x 10 18 cm -2 (4) lub elektronami o energii 3,5 MeV<br />

z fluencją 10 16 cm -2 (5).<br />

Fig. 18. AA spectra in YAP: Er fast neutrons irradiated with fluence:10 15 cm -2 (1); 10 17 cm -2<br />

(2); 10 18 cm -2 (3); 5 x 10 18 cm -2 (4) and beam electrons irradiated with energy 3,5 MeV and<br />

with fluence 10 16 cm -2 (5).<br />

Wartość AA kryształu YAP:Er mierzona dla liczby falowej 23000 cm -1 i dla<br />

fluencji z przedziału 10 17 - 5 x 10 18 cm -2 wykazuje silny wzrost z fluencją neutronów.<br />

Dla fluencji większych od 5 x 10 18 cm -2 zaznacza się słaba tendencja do nasycenia<br />

omawianej zależności (Rys. 19). Analogiczna zależność była obserwowana dla<br />

kryształu YAP:Nd [80].<br />

Opisane zmiany absorpcji mogą być wynikiem powstawania RDD w procesie<br />

napromieniowania. Zgodnie z obliczeniami teoretycznymi dla fluencji neutronów<br />

równej 10 18 cm -2 , koncentracja RDD w YAP jest rzędu 2 x 10 19 cm -2 , przy czym<br />

znaczną część defektów stanowią defekty podsieci tlenowej (~ 80%) [80].<br />

Za przesunięcie krótkofalowej krawędzi absorpcji w kierunku długofalowym<br />

mogą odpowiadać kompleksy defektów radiacyjnych, wakans kationowy - wakans<br />

tlenowy (V k<br />

V O-<br />

) powstające w procesie napromieniowania. Wychwyt elektronu przez<br />

40

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!