Nr 1 - ITME

More documents

Recommendations

Info

SiC die-substrate connections for high temperature applications TECHNIKI MONTAŻU STRUKTUR SiC DO PODŁOŻA DLA ZASTOSOWAŃ WYSOKOTEMPERATUROWYCH Z pośród półprzewodników szerokopasmowych węglik krzemu (SiC) stał się najbardziej obiecującym materiałem dla przyrządów mocy pracujących w wysokich temperaturach. Jest on obiektem szczególnego zastosowania wszędzie tam, gdzie wymaganiom wysokotemperaturowym nie może sprostać Si. Niezawodność przyrządów z SiC w wysokich temperaturach jest ograniczona przez procesy montażu obejmujące montaż struktur do podłoża , wykonywanie połączeń elektrycznych oraz przez brak stabilności wysokotemperaturowej kontaktów omowych. Główna uwaga w tym artykule została zwrócona na problemy związane z montażem nieobudowanych struktur SiC do podłoża. Dokonano przeglądu różnych technologii montażu struktur SiC do podłoża z ceramiki alundowej, które mogą spełniać wymagania pracy w wysokich temperaturach. W badaniach wykorzystano następujące techniki montażu: klejenie kompozycjami organicznymi lub nieorganicznymi, lutowanie lutami Au-Ge, klejenie przy zastosowaniu adhezyjnej folii ceramicznej oraz spiekanie niskotemperaturowe za pomocą pasty utworzonej z nanocząsteczek srebra. We wnioskach dokonano oceny analizowanych technik montażu w oparciu o wyniki uzyskane w badaniach własnych. Słowa kluczowe: SiC, montaż struktur 106
W. Grzesiak, T. Maj, E. Radziemska PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 37 - 2009 NR 1 SUPERCAPACITORS IN STAND-ALONE PV SYSTEMS WITH INSTANTANEOUS HIGH OUTPUT ENERGY PULSES * Wojciech Grzesiak 1) , Tomasz Maj 1) , Ewa Radziemska 2) Supercapacitors (SCs) as the energy storing devices find their way into contemporary electrical power engineering. While exhibiting certain properties of the batteries, they are distinguished by the ability of rapid charging and discharging as well as by the much higher durability and maintenance-free operation. The possible application range includes automotive systems, self-contained and mains-free energy sources as well as pulsed operation. This work is especially focused on the stand-alone photovoltaic (PV) systems fitted with batteries, but designed to periodically supply instantaneous energy pulses, which cannot be provided by the battery itself owing to its high internal resistance. Another subject matter of this work are the PV systems fitted with the supercapacitors, only. The paper discusses special methods of assembling the series supercapacitor banks in order to obtain elevated voltages. These methods consist in using sophisticated circuits, whose role is to ensure proper charging and discharging processes. The role of stabilising DC/DC and DC/AC output voltage of inverters used under changing supercapacitor voltage conditions is explained. The results of investigations are presented for the single and 6 - unit 3000 F 2.7 V supercapacitors. Some results were obtained and verified by means of the MATHCAD software. Practical solutions of ancillary electronic circuits are demonstrated. Keywords: supercapacitor, PV system, high energy pulse, voltage equalisation 1) Institute of Electron Technology, Kraków Division, 30-701 Kraków, ul. Zabłocie 39 2) Gdansk University of Technology, Chemical Faculty, 80-952 Gdansk, ul. Narutowicza 11/12 e-mail: grzesiak@ite.waw.pl * Praca prezentowana na XXXII International Conference of IMAPS - CPMP IEEE, Poland, Pułtusk, 21-24.09.2008 107
Page 1 and 2:
INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW E
Page 3:
SPIS TREŚCI ARTYKUŁY WPŁYW PROMI
Page 6 and 7:
6 Wpływ promieniowania jonizujące
Page 8 and 9:
2. STRUKTURA I DEFEKTY W YAP I LN W
Page 10 and 11:
Wpływ promieniowania jonizującego
Page 12 and 13:
Page 14 and 15:
Page 16 and 17:
16 Wpływ promieniowania jonizując
Page 18 and 19:
Page 20 and 21:
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Page 52 and 53:
Page 54 and 55:
Page 56 and 57: 56 Wpływ promieniowania jonizując
Page 58 and 59: Wpływ promieniowania jonizującego
Page 60 and 61: 2. MICROVIA FORMING PROCESS Analysi
Page 62 and 63: Analysis of blind microvias forming
Page 68 and 69: 68 2.2. Multi-criteria analysis of
Page 74 and 75: Influence of stencil design and par
Page 86 and 87: Potentialities of modification of m
Page 100 and 101: 100 SiC die-substrate connections f
Page 102 and 103: SiC die-substrate connections for h
Page 104 and 105: SiC die-substrate connections for h
Page 108 and 109: Supercapacitors in stand-alone PV s
Page 118 and 119: Model of ageing process of electrol
Page 124: Solar array simulator system for te
Page 127 and 128: W. Grzesiak C 2 = C 3 , C 4 = empir
Page 129 and 130: W. Grzesiak the other one without M
Page 131: W. Grzesiak [3] Grzesiak W.: Implem
show all

Nr 1 - ITME

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?