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III. Gm-C Filtering - Epublications - Université de Limoges

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étudiée. Il s’avère que la linéarité est fortement dégradée dès que la fréquence augmente. Cela<br />

est dû à l’utilisation <strong>de</strong> plus faibles capacités dans les bancs <strong>de</strong> capacités permettant l’accord<br />

en fréquences. En effet, les capacités non-linéaires <strong>de</strong>s commutateurs <strong>de</strong>viennent alors <strong>de</strong><br />

moins en moins négligeables en comparaison <strong>de</strong> la capacité utile. De plus, un facteur <strong>de</strong><br />

qualité <strong>de</strong> 4 en UHF ne permet la réjection <strong>de</strong>s canaux adjacent que d’1dB maximum. Enfin,<br />

une sélectivité plus importante est requise en UHF mais cela mènerait à l’augmentation du NF<br />

du filtre.<br />

Pour dépasser les limitations <strong>de</strong>s filtres <strong>Gm</strong>-C dues au signal passant dans le gyrateur,<br />

<strong>de</strong>s structures à amplificateurs opérationnels ont été investiguées. L’objectif est <strong>de</strong> profiter du<br />

fort gain <strong>de</strong> boucle et d’un certain filtrage, grâce au réseau RC, au nœud qui correspond à<br />

l’entrée du composant actif. Ainsi on a recherché à <strong>de</strong>signer un filtre fortement linéaire tout<br />

en ne compromettant pas le bruit.<br />

Cependant les filtres RC sont plus sélectifs à fort gain. Parmi les structures proposées<br />

par la littérature, la topologie <strong>de</strong> Rauch en rétroaction positive présente la meilleure sélectivité<br />

pour un gain donné. Sa sensibilité à la valeur <strong>de</strong>s composants passifs est aussi réduite<br />

comparée à d’autres structures. Par ailleurs, il a été choisi <strong>de</strong> limiter à 10dB le gain du filtre,<br />

ce qui correspond à un facteur <strong>de</strong> qualité <strong>de</strong> 3 en optimisant le dimensionnement du filtre <strong>de</strong><br />

Rauch. En effet, si le gain du filtre RF était trop important, cela résulterait en <strong>de</strong> très fortes<br />

contraintes <strong>de</strong> bruit sur l’amplificateur faible bruit situé en amont.<br />

Le filtre <strong>de</strong> Rauch est stable à condition d’avoir un gain d’amplificateur <strong>de</strong> tension<br />

supérieur à une valeur critique. Cette structure n’est donc a priori pas utilisable ainsi car avec<br />

un produit gain – ban<strong>de</strong> passante finie, cette condition n’est plus réalisée. Cependant, une<br />

solution originale a été proposée dans ce manuscrit, basée sur un amplificateur non-inverseur<br />

pour réaliser le gain en tension. Cette solution innovante empêche le gain en tension ainsi créé<br />

<strong>de</strong> tomber dans la zone d’instabilité. Le filtre a été implémenté en BiCMOS 0.25µm, car le<br />

CMOS 65nm ne permet pas d’obtenir un gain d’amplificateur opérationnel assez élevé. Des<br />

marges <strong>de</strong> stabilité ont par ailleurs été prises pour assurer la robustesse du circuit. Le test-chip<br />

a ensuite été mesuré au laboratoire.<br />

Les mesures montrent un accord parfait avec les simulations post-layout. Comme<br />

spécifié, on obtient un facteur <strong>de</strong> qualité <strong>de</strong> 3 pour 10dB <strong>de</strong> gain sur la ban<strong>de</strong> 45 – 240MHz.<br />

Le NF du filtre est <strong>de</strong> 15dB alors que l’IIP3 est compris entre 19 et 9dBm. La ban<strong>de</strong> d’accord<br />

est limitée à 240MHz car la chute <strong>de</strong> gain <strong>de</strong> l’amplificateur opérationnel implique une forte<br />

dégradation <strong>de</strong> la linéarité pour <strong>de</strong>s fréquences plus élevées. Comme pour le <strong>Gm</strong>-C, la<br />

sélectivité à plus haute fréquence est trop limitée pour envisager l’élargissement <strong>de</strong> la ban<strong>de</strong><br />

d’accord.<br />

Ainsi, <strong>de</strong>ux types <strong>de</strong> filtres ont été proposés pour obtenir une intégration totale <strong>de</strong> la<br />

fonction <strong>de</strong> filtrage RF d’un récepteur TV. Les résultats obtenus permettent d’envisager<br />

l’intégration totale du récepteur TV sur silicium sur au moins les <strong>de</strong>ux premières octaves.<br />

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