JAEA-Review-2010-065.pdf:15.99MB - 日本原子力研究開発機構
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Surface Modification of Vulcanized Rubber by<br />
Radiation Co-grafting<br />
N. Mizote a) , A. Katakai b) and M. Tamada b)<br />
a) Mitsuba Co. Ltd.,<br />
b) Environmental and Industrial Materials Research Division, QuBS, <strong>JAEA</strong><br />
In this study, hydrophilic monomer, 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA), and hydrophobic monomer,<br />
3-(Methacryloyloxy) propyltris (trimethylsiloxy) silane (MPTS), were co-grafted on vulcanized rubber surface by<br />
simultaneous electron beam irradiation. Monomer solution was prepared by mixing of HEMA and MPTS. Composition<br />
of graft layer was investigated by ATR-FTIR and SEM-EDX. As a result, it was found that graft polymer of MPTS was<br />
eccentrically located in the near-surface region in the case that MPTS concentration of monomer solution was about 90<br />
weight percent.<br />
加硫ゴム製品は摩擦、粘着性、耐摩耗性等の向上を<br />
目的として塩素化処理やコーティングなどの表面処理<br />
が行われている。しかしこれらの表面処理は、塩素に<br />
よる環境負荷やコーティング剥離による耐久性の問題<br />
を有するため、新しい表面改質が求められている。我々<br />
は電子線照射グラフト重合法による加硫ゴム表面改質<br />
を検討している。本研究では、親水性モノマーの HEMA<br />
と疎水性モノマーMPTS の電子線同時照射共グラフト<br />
によるゴム表面改質特性について評価した。<br />
ゴム基材として、カーボンブラックを配合した厚さ<br />
2 mm の架橋 EPDM ゴム用いた。HEMA と MPTS を所<br />
定の割合で混合したモノマー溶液を用い、加速エネル<br />
ギー2 MeV、電流値 1 mA、照射線量 7 kGy の照射条件<br />
で電子線同時照射グラフト重合を行った。グラフト重<br />
合した基材表面の組成を、ATR-FTIR 法で得られた<br />
MPTS グラフトポリマーの Si-C 吸収(845 cm -1 )と EPDM<br />
の C-H 3 吸収(1375 cm -1 )の吸光度比により評価した。<br />
表面改質層の深さ方向の分布は、断面の SEM-EDX で<br />
測定した Si 元素分布により評価した。<br />
Fig. 1 にモノマー溶液の MPTS 濃度と、ATR-FTIR で<br />
求めた MPTS グラフトポリマー由来の Si-C 吸光度比の<br />
関係を示す。Si-C 吸光度比は MPTS 濃度に対し直線的<br />
に増加せず、MPTS 濃度 90 wt%付近で極大ピークを示<br />
した。Fig. 2 にモノマー溶液の MPTS 濃度と SEM-EDX<br />
により求めたグラフト層深さの関係を示す。MPTS 濃度<br />
Absorbance ratio<br />
(845cm -1 /1375cm -1 )<br />
2-07<br />
30<br />
20<br />
10<br />
0<br />
0 20 40 60 80 100<br />
Concentration of MPTS(wt%)<br />
Fig. 1 Relationship between absorbance ratio of Si-C<br />
and MPTS concentration.<br />
<strong>JAEA</strong>-<strong>Review</strong> <strong>2010</strong>-065<br />
- 47 -<br />
の増加に伴いグラフト層深さはおおむね一様な増大を<br />
示しており、ATR-FTIR で得られた結果のような MPTS<br />
高濃度域での特異的な変化は見られなかった。MPTS<br />
高濃度領域での Si 元素デプスプロファイルの比較を<br />
Fig. 3 に示す。MPTS 100 wt%では表面から内部へ緩や<br />
かに Si 検出強度が低下していくのに対し、HEMA が少<br />
量添加された MPTS 90 wt%、95 wt%では表面から 10 µm<br />
程度のごく浅い領域に強いピーク状の Si 強度プロファ<br />
イルが見られた。この結果は、MPTS 100%よりも HEMA<br />
が少量含まれたほうがより表面近傍に MPTS が偏在す<br />
ることを示しており、ATR-FTIR の結果と一致する。<br />
これまでの研究で、HEMA グラフト層は 10 µm 程度<br />
の厚さであることが確認されており、MPTS は HEMA<br />
グラフト層に選択的に取り込まれると考えられる。<br />
Depth of graft layer(µm)<br />
100<br />
90<br />
80<br />
70<br />
60<br />
50<br />
40<br />
30<br />
20<br />
10<br />
0<br />
0 20 40 60 80 100<br />
Concentration of MPTS(wt%)<br />
Fig. 2 Relationship between depth of graft layer and<br />
MPTS concentration.<br />
(a) (b) (c)<br />
Fig. 3 Cross-sectional SEM micrograph of graft<br />
layer and depth profile of Si: (a) 90 wt% MPTS,<br />
(b) 95 wt% MPTS, (c) 100 wt% MPTS.